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非易失性MRAM基础知识汇总

MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。








回帖(8)

李翰肃

2020-12-16 14:35:58
MRAM特性
●MRAM读/写周期时间:35ns;
●真正无限次擦除使用;
●业内最长的寿命和数据保存时间——超过20年的非易失特性;
●单芯片最高容量为16Mb;
●快速、简单接口——16位或8位并行SRAM、40MHz高速串行SPI接口;
●具有成本效益——简单到只有一个晶体管、一个磁性穿隧结(1T-1MTJ)位单元;
●最佳等级的软错误率——远比其它内存优异;
●可取代多种存储器——集Flash、SRAM、EEPROM、DRAM的功能于一身;●具备商业级、工业级、扩展级和汽车级的可选温度范围;
●符合RoHS规范:无电池、无铅;
●小封装:TSOP、VGA、DFN
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赖文文

2020-12-16 14:36:05
MRAM的存储原理
MRAM是以磁性隧道结(MTJ)储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层,和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时,MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性;反之MTJ便会有高电阻。此磁阻效应可使MRAM不需改变内存状态,便能快速读取数据。当流经两金属线的电流足以切换MTJ的磁场时,在两金属线交点的MTJ就会被极化(写入)。此过程能以SRAM的速度完成。


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李渝辉

2020-12-16 14:36:13
MRAM的优势
优势一:
其采用的磁性极化的方式与传统的电荷存储方式不同,有效避免了电荷漏电的问题,从而保证数据能够在宽广的温度范围内被长期保存。
优势二:
两个状态间的磁性极化切换不会涉及到实际的电子或原子移动,因此不会有耗损机制的存在。
优势二:
两个状态间的磁性极化切换不会涉及到实际的电子或原子移动,因此不会有耗损机制的存在。
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华农武

2020-12-16 14:36:38
非易失性存储器-串行mram
典型威廉希尔官方网站 示例—MR25H40 4Mbit MRAM



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