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everspin自旋转矩MRAM技术解析
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everspin自旋转矩MRAM技术
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颜立歆
2020-12-25 14:31:25
MRAM的主体结构由三层结构的MTJ构成:自由层(free layer),固定层和氧化层。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。MRAM 是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。存储器读取威廉希尔官方网站 是通过加载相同的电压判断输出电流的大小从而判断存储器的信息。
everspin
的最新MRAM技术利用自旋转矩传递特性,即利用极化电流操纵电子的自旋,以建立自由层的所需磁状态,以对存储阵列中的位进行编程或写入。
与Toggle MRAM相比,自旋传递扭矩MRAM或STT-MRAM显着降低了开关能量,并且具有高度可扩展性,从而可以实现更高密度的存储产品。我们的第三代MRAM技术使用垂直MTJ。我们已经开发了具有高垂直磁各向异性的材料和垂直MTJ叠层设计,可提供长数据保留,小单元尺寸,更大密度,高耐久性和低功耗。
1Gb是最新一代的
STT-MRAM
,利用了ST-DDR4,它是一种类似于JEDEC的DDR4接口,需要进行一些修改才能利用MRAM技术的持久性。 这些产品的性能类似于持久性DRAM,但无需刷新。计划开发其他产品,这些产品将利用高速串行接口用于各种
嵌入式
应用。
MRAM的主体结构由三层结构的MTJ构成:自由层(free layer),固定层和氧化层。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。MRAM 是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。存储器读取威廉希尔官方网站 是通过加载相同的电压判断输出电流的大小从而判断存储器的信息。
everspin
的最新MRAM技术利用自旋转矩传递特性,即利用极化电流操纵电子的自旋,以建立自由层的所需磁状态,以对存储阵列中的位进行编程或写入。
与Toggle MRAM相比,自旋传递扭矩MRAM或STT-MRAM显着降低了开关能量,并且具有高度可扩展性,从而可以实现更高密度的存储产品。我们的第三代MRAM技术使用垂直MTJ。我们已经开发了具有高垂直磁各向异性的材料和垂直MTJ叠层设计,可提供长数据保留,小单元尺寸,更大密度,高耐久性和低功耗。
1Gb是最新一代的
STT-MRAM
,利用了ST-DDR4,它是一种类似于JEDEC的DDR4接口,需要进行一些修改才能利用MRAM技术的持久性。 这些产品的性能类似于持久性DRAM,但无需刷新。计划开发其他产品,这些产品将利用高速串行接口用于各种
嵌入式
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