指导
图1所示配置展现了用作共发射极放大器的NPN晶体管。选择适当的输出负载电阻RL,用于产生合适的标称集电极电流IC,VCE电压约为VP (5 V)的一半。通过可调电阻RPOT与RB来设置晶体管(IB)的标称偏置工作点,进而设置所需的IC。选择适当的分压器R1/R2,以便通过波形发生器W1提供足够大的输入激励衰减。考虑到在晶体管VBE的基极上会出现非常小的信号,这样做更容易查看发生器W1信号。衰减波形发生器W1信号通过4.7 uF电容交流耦合到晶体管基极,以免干扰直流偏置条件。
图1.共发射极放大器测试配置。
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图1所示配置展现了用作共发射极放大器的NPN晶体管。选择适当的输出负载电阻RL,用于产生合适的标称集电极电流IC,VCE电压约为VP (5 V)的一半。通过可调电阻RPOT与RB来设置晶体管(IB)的标称偏置工作点,进而设置所需的IC。选择适当的分压器R1/R2,以便通过波形发生器W1提供足够大的输入激励衰减。考虑到在晶体管VBE的基极上会出现非常小的信号,这样做更容易查看发生器W1信号。衰减波形发生器W1信号通过4.7 uF电容交流耦合到晶体管基极,以免干扰直流偏置条件。
图1.共发射极放大器测试配置。
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