引言
同步动态随机存储器（SDRAM），在同一个CPU时钟周期内即可完成数据的访问和刷新，其数据传输速度远远大于传统的数据存储器（DRAM），被广泛的应用于高速数据传输系统中。基于FPGA的SDRAM控制器，以其可靠性高、可移植性强、易于集成的特点，已逐渐取代了以往的专用控制器芯片而成为主流解决方案。然而，SDRAM复杂的控制逻辑和要求严格的时序，成为开发过程中困扰设计人员主要因素，进而降低了开发速度，而且大多数的基于FPGA的SDRAM控制器都是针对特定的SDRAM芯片进行设计，无法实现控制器的通用性。本文介绍一种通用SDRAM控制器的FPGA模块化解决方案。
SDRAM及其控制过程
SDRAM控制逻辑复杂，命令种类多样，需要周期性刷新操作、行列管理的等多重操作。
SDRAM首先要进行初始化操作。在上电后等待100ns，至少执行1条空操作，然后对所有页执行预充电操作，接着向各页发出两条刷新操作指令，最后执行SDRAM工作模式的设定LMR命令用来配置SDRAM工作模式寄存器。SDRAM工作寄存器可以根据具体应用的需要进行设置。
初始后的SDRAM在得到了RAS、CAS、WE的值后开始执行相应的命令。在对SDRAM进行读、写过程中，必须要先进行页激活ACT操作，保证存储单元是打开的，以便从中读取地址或者写入地址，然后通过预充电PHC命令实现来关闭存储单元。在进行写操作时，内部的列地址和数据都会被寄存，而进行读操作时，内部地址被寄存，数据的存储则发生在CAS 延迟时间（通常为1～3个时钟周期）后。最后，操作终止：当SDRAM顺次的进行读、写操作后，当到达到突发长度或者突发终止指令BT出现时，SDRAM将终止其操作。
模块化的SDRAM控制器设计
在SDRAM控制器的FPGA实现方案中，采用了FPGA的自底向上的模块化设计思想，首先分析顶层模块的功能，再将其功能分类细化，分配到不同的子模块去实现，然后自底向上的先逐步完成各个子模块的设计，最后将子模块相互连接生成顶层模块。经过分析，SDRAM控制器应实现的功能有：为SDRAM提供刷新控制以保持SDRAM中的数据；对主机的命令进行仲裁，将下一步要执行的命令翻译成可与SDRAM连接的信号；为SDRAM的读、写生成数据路径。因此，根据SDRAM的指令操作特点将SDRAM控制器划分为接口控制模块、命令生成模块和数据路径模块三个主要模块（图1）。
图1 SDRAM控制器的FPGA模块化设计方案
下面，对其接口信号进行介绍，需要注意的是，为了实现该控制器的通用性，ADDR、DATAIN、DATAOUT、DQ、DOM信号设计成可根据SDRAM的容量改变的形式。
与主机接口信号：CLK（系统时钟）；RESET（系统复位）；CMD［2:0］（译码指令）；CMDACK（指令应答信号）；ADDR［ASIZE-1:0］（地址线）；DATAIN/DATAOU［DSIZE-1:0］（输入、输出数据总线）；DM［（DSIZE/8）-1:0］（数据掩码）。
与SDRAM接口信号：SA（地址线）；BA（页地址）；CS_N（片选信号）；CKE（时钟使能信号）；RAS、CAS、WE（命令控制信号）；DQM［（DSIZE/8）-1:0］（SDRAM数据掩码）；DQ［DSIZE-1:0］（双向数据线）。
各个模块的设计与实现
接口控制模块
接口控制模块主要实现的功能是将CMD［2:0］翻译成接口指令和对刷新计数器的控制指令。接口模块在工作过程中首先通过要通过状态机来完成对CMD［2:0］的翻译。在VHDL程序中声明一个用户自定义类型states，根据CMD［2:0］输入来决定状态的转移，完成对CMD［2:0］的解码，部分代码如下：
type states is（nop，reada，writea，refresh，
precharge，load_mode）;
signal state ： states ;
………………
case cmd is
when “011” =》 state state
另外，SDRAM需要周期性刷新操作以保持数据。在模块的程序设计中，刷新周期的控制通过一个计数器来完成，到达规定的计数周期数时，接口模块通过REF_REQ信号向SDRAM发出刷新请求。直到SDRAM完成刷新操作，发出REF_ACK刷新应答信号，计数器才重新赋值，开始下一次的计数。
命令生成模块
命令生成模块实现对输入的SDRAM指令请求进行仲裁判断的功能，并将仲裁后要执行的指令解码成SDRAM需要的RAS、CAS等信号，从而实现指令对SDRAM的控制。仲裁机制是SDRAM控制器设计不可或缺的一个环节。仲裁机制实现要遵循如下规则：
*SDRAM在每一刻只有一个指令在执行；
*先到的指令先执行，如果刷新请求到来时，其它命令正在执行中，要等到当前命令执行完成后，才能执行刷新指令；
*其它指令和刷新请求同时到来时刷新操作先执行。
经过仲裁判断后，指令将传入命令生成器。命令生成器不仅要把指令解码成SDRAM需要的RAS、CAS等信号，同时还要对命令执行的时间进行控制。下面的例程仅供参考。
if （do_state=refresh or do_state=reada or
do_state=writea
or do_state=precharge or
do_state=load_mode）then
command_delay（7 downto 0）
下面介绍输入的指令为writea和reada指令时模块所进行的操作。当SDRAM的writea和reada指令到来时，将引发一系列指令的执行，和其它指令相比需要更多的附加时间。所以，在这种情况下需要声明第二个移位寄存器rw_shift来完成这两个指令的附加时间的实现。rw_shift的工作原理和第一个移位寄存器command_delay是一样的，需根据读、写的时间决定rw_shift的位数。
最后一个移位寄存器oe_shift用来为数据通道生成数据输入、输出使能信号oe。对于非页模式的读写来说，oe保持有效的时间取决于突发长度，需要注意的是，读操作时，oe有效的起始时间取决于CAS延时时间，而对于写操作，则在写指令开始时oe就是有效的。
数据路径模块
数据路径模块的作用是在writea和reada命令期间生成数据的路径。在用VHDL语言程序中，用简单的赋值语句就可以实现数据路径模块。
通用性的实现
根据SDRAM控制器的FPGA模块化设计方案生成的FPGA控制器易于修改和扩展，具有可通用的特性。在具体的应用中，针对不同的SDRAM，并不需要更改SDRAM控制器结构，只要根据datasheet中的SDRAM的容量将地址线数和数据的位数做相应修改，再依据SDRAM的时序和读、写速度更改接口控制模块中的时间信号的周期，如刷新周期、命令生成模块中移位寄存器的位数和初值等，这样就可以对不同的SDRAM进行控制。最后，生成的SDRAM控制器顶层模块如图2所示。为了证明该控制器设计方案的可行性和通用性，在Altera公司的Cyclone系列FPGA——EP1C6Q240C8中生成SDRAM控制器，根据数据手册中SDRAM的参数对控制器各模块的VHDL语言程序做相应的改动，实现了对三星公司的8MByte SDRAM K4S641632E和2MByte SDRAM K4S161622D的控制，均达到了100MHz的读、写速度。
图2 SDRAM控制器接口
结语
本方案采用的模块化思想为SDRAM控制器的开发提供了一种层次分明、易于扩展的设计思路。实验结果表明，该控制器设计紧凑，维护升级方便，易于实现对SDRAM的通用化控制，这无疑将极大的提高SDRAM应用的开发速度。
引言
同步动态随机存储器（SDRAM），在同一个CPU时钟周期内即可完成数据的访问和刷新，其数据传输速度远远大于传统的数据存储器（DRAM），被广泛的应用于高速数据传输系统中。基于FPGA的SDRAM控制器，以其可靠性高、可移植性强、易于集成的特点，已逐渐取代了以往的专用控制器芯片而成为主流解决方案。然而，SDRAM复杂的控制逻辑和要求严格的时序，成为开发过程中困扰设计人员主要因素，进而降低了开发速度，而且大多数的基于FPGA的SDRAM控制器都是针对特定的SDRAM芯片进行设计，无法实现控制器的通用性。本文介绍一种通用SDRAM控制器的FPGA模块化解决方案。
SDRAM及其控制过程
SDRAM控制逻辑复杂，命令种类多样，需要周期性刷新操作、行列管理的等多重操作。
SDRAM首先要进行初始化操作。在上电后等待100ns，至少执行1条空操作，然后对所有页执行预充电操作，接着向各页发出两条刷新操作指令，最后执行SDRAM工作模式的设定LMR命令用来配置SDRAM工作模式寄存器。SDRAM工作寄存器可以根据具体应用的需要进行设置。
初始后的SDRAM在得到了RAS、CAS、WE的值后开始执行相应的命令。在对SDRAM进行读、写过程中，必须要先进行页激活ACT操作，保证存储单元是打开的，以便从中读取地址或者写入地址，然后通过预充电PHC命令实现来关闭存储单元。在进行写操作时，内部的列地址和数据都会被寄存，而进行读操作时，内部地址被寄存，数据的存储则发生在CAS 延迟时间（通常为1～3个时钟周期）后。最后，操作终止：当SDRAM顺次的进行读、写操作后，当到达到突发长度或者突发终止指令BT出现时，SDRAM将终止其操作。
模块化的SDRAM控制器设计
在SDRAM控制器的FPGA实现方案中，采用了FPGA的自底向上的模块化设计思想，首先分析顶层模块的功能，再将其功能分类细化，分配到不同的子模块去实现，然后自底向上的先逐步完成各个子模块的设计，最后将子模块相互连接生成顶层模块。经过分析，SDRAM控制器应实现的功能有：为SDRAM提供刷新控制以保持SDRAM中的数据；对主机的命令进行仲裁，将下一步要执行的命令翻译成可与SDRAM连接的信号；为SDRAM的读、写生成数据路径。因此，根据SDRAM的指令操作特点将SDRAM控制器划分为接口控制模块、命令生成模块和数据路径模块三个主要模块（图1）。
图1 SDRAM控制器的FPGA模块化设计方案
下面，对其接口信号进行介绍，需要注意的是，为了实现该控制器的通用性，ADDR、DATAIN、DATAOUT、DQ、DOM信号设计成可根据SDRAM的容量改变的形式。
与主机接口信号：CLK（系统时钟）；RESET（系统复位）；CMD［2:0］（译码指令）；CMDACK（指令应答信号）；ADDR［ASIZE-1:0］（地址线）；DATAIN/DATAOU［DSIZE-1:0］（输入、输出数据总线）；DM［（DSIZE/8）-1:0］（数据掩码）。
与SDRAM接口信号：SA（地址线）；BA（页地址）；CS_N（片选信号）；CKE（时钟使能信号）；RAS、CAS、WE（命令控制信号）；DQM［（DSIZE/8）-1:0］（SDRAM数据掩码）；DQ［DSIZE-1:0］（双向数据线）。
各个模块的设计与实现
接口控制模块
接口控制模块主要实现的功能是将CMD［2:0］翻译成接口指令和对刷新计数器的控制指令。接口模块在工作过程中首先通过要通过状态机来完成对CMD［2:0］的翻译。在VHDL程序中声明一个用户自定义类型states，根据CMD［2:0］输入来决定状态的转移，完成对CMD［2:0］的解码，部分代码如下：
type states is（nop，reada，writea，refresh，
precharge，load_mode）;
signal state ： states ;
………………
case cmd is
when “011” =》 state state
另外，SDRAM需要周期性刷新操作以保持数据。在模块的程序设计中，刷新周期的控制通过一个计数器来完成，到达规定的计数周期数时，接口模块通过REF_REQ信号向SDRAM发出刷新请求。直到SDRAM完成刷新操作，发出REF_ACK刷新应答信号，计数器才重新赋值，开始下一次的计数。
命令生成模块
命令生成模块实现对输入的SDRAM指令请求进行仲裁判断的功能，并将仲裁后要执行的指令解码成SDRAM需要的RAS、CAS等信号，从而实现指令对SDRAM的控制。仲裁机制是SDRAM控制器设计不可或缺的一个环节。仲裁机制实现要遵循如下规则：
*SDRAM在每一刻只有一个指令在执行；
*先到的指令先执行，如果刷新请求到来时，其它命令正在执行中，要等到当前命令执行完成后，才能执行刷新指令；
*其它指令和刷新请求同时到来时刷新操作先执行。
经过仲裁判断后，指令将传入命令生成器。命令生成器不仅要把指令解码成SDRAM需要的RAS、CAS等信号，同时还要对命令执行的时间进行控制。下面的例程仅供参考。
if （do_state=refresh or do_state=reada or
do_state=writea
or do_state=precharge or
do_state=load_mode）then
command_delay（7 downto 0）
下面介绍输入的指令为writea和reada指令时模块所进行的操作。当SDRAM的writea和reada指令到来时，将引发一系列指令的执行，和其它指令相比需要更多的附加时间。所以，在这种情况下需要声明第二个移位寄存器rw_shift来完成这两个指令的附加时间的实现。rw_shift的工作原理和第一个移位寄存器command_delay是一样的，需根据读、写的时间决定rw_shift的位数。
最后一个移位寄存器oe_shift用来为数据通道生成数据输入、输出使能信号oe。对于非页模式的读写来说，oe保持有效的时间取决于突发长度，需要注意的是，读操作时，oe有效的起始时间取决于CAS延时时间，而对于写操作，则在写指令开始时oe就是有效的。
数据路径模块
数据路径模块的作用是在writea和reada命令期间生成数据的路径。在用VHDL语言程序中，用简单的赋值语句就可以实现数据路径模块。
通用性的实现
根据SDRAM控制器的FPGA模块化设计方案生成的FPGA控制器易于修改和扩展，具有可通用的特性。在具体的应用中，针对不同的SDRAM，并不需要更改SDRAM控制器结构，只要根据datasheet中的SDRAM的容量将地址线数和数据的位数做相应修改，再依据SDRAM的时序和读、写速度更改接口控制模块中的时间信号的周期，如刷新周期、命令生成模块中移位寄存器的位数和初值等，这样就可以对不同的SDRAM进行控制。最后，生成的SDRAM控制器顶层模块如图2所示。为了证明该控制器设计方案的可行性和通用性，在Altera公司的Cyclone系列FPGA——EP1C6Q240C8中生成SDRAM控制器，根据数据手册中SDRAM的参数对控制器各模块的VHDL语言程序做相应的改动，实现了对三星公司的8MByte SDRAM K4S641632E和2MByte SDRAM K4S161622D的控制，均达到了100MHz的读、写速度。
图2 SDRAM控制器接口
结语
本方案采用的模块化思想为SDRAM控制器的开发提供了一种层次分明、易于扩展的设计思路。实验结果表明，该控制器设计紧凑，维护升级方便，易于实现对SDRAM的通用化控制，这无疑将极大的提高SDRAM应用的开发速度。
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