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李郝荫

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IRS26302DJBPF高速功率MOSFET和IGBT驱动器相关资料分享

概述:IRS26302DJBPF美国国家半导体公司生产的一款高速功率MOSFET和IGBT驱动器,它把功率MOSFET/IGBT栅极驱动器与三个高侧及三个低侧参考输出通道集成在一起,在最高20V MOS栅极驱动能力及最高600V工作电压下,可提供200mA/300mA的驱动电流。它有三个互相独立的高边和低边输出通路以及全保护功能。此外还有一个用于PFC 或 Brake IGBT驱动的低边驱动器。高边连接的MOSFET或IGBT的工作电压可高达+600V,IRS26302D广泛用于通用逆变器和空调器逆变器以及马达控制。它为44脚PLCC封装工艺。
一、IRS26302DJBPF外观图

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