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本帖最后由 松山归人 于 2021-6-2 10:42 编辑
讲解人：鲁肃老师（张飞实战电子高级工程师）
我们知道了三极管MOS管在进入饱和导通之前，必然会经过放大区。好在三极管经过放大区的时间很短，但是MOS管在米勒平台这段区域的时间会更长，也会更容易损坏。
上面是Vgs波形，接下来我们来看Vds波形是什么样子的。
那么，我们知道当Vgs电压达到Vth时，MOS管进入放大导通区域，而此时D端的电位会从原来的200V在t1~t2期间内会有略微的下降。
同时，我们也知道，在Vgs电压达到Vth时，Id开始有电流了。
我们通过固有转移特性知道，Vgs和Id成比例变化的，所以在米勒平台区域Id电流也是几乎没有变化，理想情况下，我们就认为它们是不变的。
那么，到了某一时刻（t3），米勒平台效应就会结束。在米勒平台期间，MOS管的DS内阻Rdson在逐渐变小。
图片太多，完整见附件:
上期回顾：从无到有，彻底搞懂MOSFET讲解（四）
回帖（3）
2021-6-2 13:37:44
非常好，会持续关系学习！
非常好，会持续关系学习！
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2021-8-14 17:33:39
学习了，谢谢分享
学习了，谢谢分享
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2021-8-24 18:31:24
讲的很详细，学习了
讲的很详细，学习了
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