如何采用NV611X系列氮化镓进行电源设计热处理？

　　介绍
　　GaN功率集成威廉希尔官方网站 提供超低电容 ，优良的开关特性，低RDS（ON），封装在一个小QFN封装里。这些特性使GaN非常适合在高频下工作，并支持高密度电源设计。
　　为了充分利用GaN的这些优势，必须对GaN功率集成威廉希尔官方网站 的热管理进行合理的设计。这包括PCB板设计以及热处理和散热。
　　本应用说明包括正确的印刷威廉希尔官方网站 板 布局指南和电源示例，以帮助设计师正确设计正确的热管理。为了避免部件温度过高、效率低下、外壳温度过高、部件故障和设计周期过长，必须在设计周期内尽早遵循这些指南。
　　NV611X系列GaN功率器件封装信息
　　纳微NV611X系列GaN功率集成威廉希尔官方网站 采用5x6毫米QFN封装。如下图所示，集成威廉希尔官方网站 引脚包括漏极片（D）、源极片（S）和4个控制引脚。控制管脚管理栅极驱动电源和GaN功率器件的开/关控制，并且外部功率转换威廉希尔官方网站 的开关电流在每个打开时间段内从漏极板流向源极板。集成威廉希尔官方网站 内部安装在电源板上，然后用塑料模塑化合物模塑。所有暴露在外的封装垫和封装底部的引脚都焊接 在PCB 上。由于集成威廉希尔官方网站 直接安装在源焊盘上，所以来自GaN集成威廉希尔官方网站 的热量必须通过GaN集成威廉希尔官方网站 的底部、源焊盘和焊料排出到PCB板。然后使用热通孔将热量传递到PCB的另一侧，然后在那里进行冷却。
　　
　　图一 GaN NV611X 系列 封装信息及PCB贴片剖面图
　　PCB设计指南
　　在设计GaN功率集成威廉希尔官方网站 的PCB版图时，为了达到可接受的器件温度，必须遵循一些指导原则。必须使用热通孔将热量从顶层IC源焊盘传导到底层，并使用大面积铜进行PCB散热。以下布局步骤和说明说明说明了最佳布局实践，以实现最佳的IC热性能。
　　1） 将GaN IC 5x6 mm PQFN封装在PCB顶层。
　　2） 在顶层（CVCC，CVDD、RDD、DZ）。将SMD部件尽可能靠近IC引脚！
　　3） 布置SMD部件、控制、走线和电源板的连接都在顶层。
　　4） 在两侧的顶层放置大的铜区域，并连接到源焊盘。
　　5） 将热通孔放置在源焊盘内部和源焊盘的两侧。
　　6） 在所有其他层（底部、中部1、中部2）上放置大的铜区域。
　　
　　（a）放置顶层元器件 （b） 顶层走线，源级走线敷铜
　　
　　（c）源级增加过孔 （d） 底层走线，源级底层敷铜
　　PCB布局示例（单低压侧开关配置）
　　下面的示例显示了在实际电源PCB设计上实现的正确布局实践。组件和跟踪都在顶层。底部和中间层仅用于铜区域和热通孔。