文章：GaN晶体蚀刻的几何方面和光子应用
编号：JFSJ-21-044
作者：炬丰科技
网址：http://www.wetsemi.com/index.html
摘要：
湿法各向异性（晶体）化学蚀刻是半导体器件的基础工艺技术，其中小平面和小平面定义的几何形状决定了器件的特性。
例子是：
（1）具有原子级光滑面的光学设备（波导、激光器）减少损失
（2）MEMS，其中几何形状可以通过晶体学和湿蚀刻的性质
• 湿的在基于KOH的化学中，GaN 的化学蚀刻具有高度的各向异性，能够形成垂直和光滑的多面纳米结构。文章全部详情，请加V获取：hlknch / xzl1019
• 我们 可以使用 Wulff-Jaccodine方法预测这些结构的凸凹形状。
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使用湿化学蚀刻方法了解和预测 GaN
结构的3D几何形状可以实现将结构（例如纳米线、MEMS）和功能（光电子学）相结合的新应用。如有侵权，请联系作者删除
