《炬丰科技-半导体工艺》GaN 纳米线制造和单光子发射器器件应用的蚀刻工艺

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

编号：JFSJ-21-045

摘要：氮化镓 (GaN) 纳米线 (NW) 的器件近年来引起了很多兴趣。超薄 GaN NW 可用于制造许多用于未来通信和加密系统的新型器件，例如单光子发射器 (SPE)。传统的生长技术在可制造性方面存在局限性，因此需要探索自上而下、依赖蚀刻的 GaN NW 制造工艺。

这项工作的重点是改进自上而下的 GaN 纳米线的制造方法，并为 SPE 的制造奠定了潜在的工艺。使用干法和湿法蚀刻的组合，现有的自顶向下 GaN 纳米线制造工艺得到改进，以实现直径低于 50nm 的特征。提出了 SPE 制造的初始工艺，并引入了电化学蚀刻设置以扩大处理能力和应用。这些新工艺的初步实验显示出有希望的结果。