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文章：IC制造工艺
编号：JFSJ-21-046
作者：炬丰科技
网址：http://www.wetsemi.com/index.html
摘要：
光刻：通过在晶片表面涂上均匀的薄薄一层粘性液体（光刻胶）来定义图案的过程。光刻胶通过烘烤硬化，然后通过光穿过包含掩模信息的掩模版进行投射而选择性地去除。
蚀刻：从晶片表面选择性地去除不需要的材料。光刻胶的图案通过蚀刻剂转移到晶片上。
沉积：各种材料的薄膜被施加在晶片上。为此，主要使用两种工艺，物理气相沉积 (PVD) 和化学气相沉积 (CVD)。
制作步骤：
1.从空白晶圆开始
2.自下而上构建逆变器
3.第一步将是形成n
（1）用 SiO2（氧化物）保护层覆盖晶圆
（2）删除应构建 n 阱的层
（3）植入或扩散 n 掺杂剂进入暴露的晶圆
（4）剥离 SiO2
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