一、OLED 概念：
简介
OLED，即有机发光二极管。
OLED具备自发光，不需背光源、对比度高。
LCD 都需要背光，而OLED 不需要，因为它是自发光的。这样同样的显示，OLED 效果要来得好一些。以目前的技术，OLED 的尺寸还难以大型化，但是分辨率确可以做到很高。
OLED 控制器是SSD1309.
二、OLED控制器SSD1309
一般说明：
SSD1309 是一个单片 CMOS OLED/PLED 驱动芯片可以驱动有机/聚合发光二极管点阵图形显示系统。由 128 segments 和 64 Commons组成。该芯片专为共阴极 OLED 面板设计。
SSD1309中嵌入了对比度控制器、显示 RAM 和晶振，并因此减少了外部器件和功耗。有 256级亮度控制。数据/命令的发送有三种接口可选择：6800/8000 串口，I2C 接口或 SPI 接口。
适用于多数简介的应用，注入移动电话的屏显，MP3 播放器和计算器等。
接口
MCU（STM32/C51）可通过硬件数据接口（SPI/IIC/8080/6800）给SSD1309发送 数据 或者 命令。
SSD1309 接口方式，接口方式有多种：
6800系列接口
8080系列接口
MCU串行接口（4线SPI）
MCU串行接口（3线SPI）
MCU I 2 C 接口
接口的选择：
SSD1306MCU接口由 8 个数据引脚和 5 个控制引脚组成。引脚分配由不同的接口选择决定，
详情如下表。不同的 MCU模块可以通过 BS［2:0］引脚的硬件选择设置。
一般使用4线SPI。
特点：
特性
1. 分辨率：128 * 64 点阵面板
2. 电源：
a） VDD = 1.65V to 3.3V 用于 IC逻辑
b） VCC = 7V to 15V 用于面板驱动
3. 点阵显示
a） OLED 驱动输出电压，最大 15V
b） Segment 最大电流：100uA
c） 常见最大反向电流：15mA
d） 256 级对比亮度电流控制
4. 嵌入式 128 * 64 位 SRAM显示缓存
5. 引脚选择 MCU接口 （显示屏后面有引脚选择，通过焊接不同的电阻来选择不同的接口）
a） 8 位 6800/8000 串口
b） 3/4 线 SPI 接口
c） I2C接口
6. 水平和垂直两个方向的屏幕保存连续滚动功能。
7. RAM 写同步信号
8. 可编程的帧率和多重比率
9. 行重映射和列冲映射
10. 片上晶振
11. 两种封装 COG和 COF
12. 工作温度范围广：‐40℃ to 85℃
结构方框图
时序与引脚介绍
4线 SPI 时序
4线串行接口包括串行时钟：SCLK，串行数据：SDIN，D / C＃，CS＃。在4线SPI模式下，D0充当SCLK，D1充当SDIN。对于未使用的数据引脚，D2应该保持开路。从D3到D7的引脚，E和R / W＃（WR＃）＃可以连接到外部接地。
Note
（1）
H stands for HIGH in signal
（2）
L stands for LOW in signal
（3）
↑ stands for rising edge of signal
在SCLK的每个上升沿，SDIN都按照D7，D6，。。。 D0的顺序移入8位移位寄存器。 D / C＃每八个时钟采样一次，并将移位寄存器中的数据字节写入图形显示数据RAM（GDDRAM）或命令寄存器在同一时钟中。
在串行模式下，仅允许写操作。
图8-5：4线串行接口模式下的写入过程
命令解码器（D/C#引脚）
该模块确定输入数据是解释为数据还是命令。 数据基于解释在D / C＃引脚的输入上。
如果 D/C#引脚是高，D［7:0］就被解读为写到图像显示数据 RAM（GDDRAM）中的显示数据。
如果是低，D［7:0］的输入就被解读为一个命令。然后数据输入就会被解码并写到相关的命令寄存器中。
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（RES# ）
当 RES# 输入为 LOW 时，芯片初始化为下面的状态：
1. 显示关
2. 128 * 64 显示模式
3. 正常的 segment 和显示数据列地址和行地址映射（SEG0 映射到 address 00h，COM0 映射到 address 00h）
4. 在串口中清除移位寄存器数据
5. 显示开始行设置为显示 RAM 地址 0
6. 列地址计数设为 0
7. 正常扫描 COM 输出方向
8. 对比度控制寄存器设为 7Fh
9. 正常显示模式（等同于 A4h 命令）
显存
SSD1309 的显存总共为 128*64bit 大小，
图形显示数据 RAM（GDDRAM） GDDRAM 是一个为映射静态 RAM 保存位模式来显示。该 RAM 的大小为128 * 64 bit，RAM分为 8 页，从 PAFE0 到 PAGE7，用于单色 128 * 64 点阵显示，如下图所示
常用命令表
省略。。。
设置内存地址模式（20h）
SSD1306 中有三种不同的内存地址模式：页地址模式，水平地址模式，垂直地址模式。这个命令将内存地址模式设置成这三种中的一种。
页地址模式（A［1:0］ =10xb）
在页地址模式下，在显示 RAM 读写之后，列地址指针自动加一。如果列地址指针达到了列的结束地址，列地址指针重置为列开始地址并且也地址指针不会改变。用户需要设置新的页和列地址来访问下一页 RAM 内从。页地址模式下 PAGE和列地址指针的移动模式参考下图
在正常显示数据 RAM 读或写和页地址模式， 要求使用下面的步骤来定义开始 RAM 访问的位置：
1. 通过命令 B0h 到 B7h 来设置目标显示位置的页开始地址
2. 通过 00h~0Fh 来设置低开始列地址的指针
3. 通过命令 10h~1Fh 来设置高开始列地址
水平寻址模式（A［1:0］= 00b）
在水平寻址模式下，当显示 RAM 被读写之后，列地址指针自动加一。如果列地址指针达到列的结束地址，列地址指针重置为列的开始地址，并且页地址指针自动加 1。水平寻址模式下页和列地址的移动顺序如下图所示。当列地址和页地址都达到了结束地址，指针重设为列地址和页地址的开始地址。
垂直寻址模式（A［1:0］=01b）
在垂直寻址模式下，当显示 RAM 被读写之后，页地址指针自动加一。如果页地址达到了页的结束地址，页地址自动重置为页的开始地址，列地址自动加一。页地址和列地址的移动顺序如下图所示。当列地址和页地址都达到结束地址后，指针自动重置为开始地址。
在正常显示 RAM 读或写，水平/垂直寻址模式下，要求用下面的步骤来定义 RAM 访问指针位置：
1. 用 21h 命令设置目标显示位置的列的开始和结束地址；
2. 用命令 22h设置目标显示位置的页的开始和结束地址
一、OLED 概念：
简介
OLED，即有机发光二极管。
OLED具备自发光，不需背光源、对比度高。
LCD 都需要背光，而OLED 不需要，因为它是自发光的。这样同样的显示，OLED 效果要来得好一些。以目前的技术，OLED 的尺寸还难以大型化，但是分辨率确可以做到很高。
OLED 控制器是SSD1309.
二、OLED控制器SSD1309
一般说明：
SSD1309 是一个单片 CMOS OLED/PLED 驱动芯片可以驱动有机/聚合发光二极管点阵图形显示系统。由 128 segments 和 64 Commons组成。该芯片专为共阴极 OLED 面板设计。
SSD1309中嵌入了对比度控制器、显示 RAM 和晶振，并因此减少了外部器件和功耗。有 256级亮度控制。数据/命令的发送有三种接口可选择：6800/8000 串口，I2C 接口或 SPI 接口。
适用于多数简介的应用，注入移动电话的屏显，MP3 播放器和计算器等。
接口
MCU（STM32/C51）可通过硬件数据接口（SPI/IIC/8080/6800）给SSD1309发送 数据 或者 命令。
SSD1309 接口方式，接口方式有多种：
6800系列接口
8080系列接口
MCU串行接口（4线SPI）
MCU串行接口（3线SPI）
MCU I 2 C 接口
接口的选择：
SSD1306MCU接口由 8 个数据引脚和 5 个控制引脚组成。引脚分配由不同的接口选择决定，
详情如下表。不同的 MCU模块可以通过 BS［2:0］引脚的硬件选择设置。
一般使用4线SPI。
特点：
特性
1. 分辨率：128 * 64 点阵面板
2. 电源：
a） VDD = 1.65V to 3.3V 用于 IC逻辑
b） VCC = 7V to 15V 用于面板驱动
3. 点阵显示
a） OLED 驱动输出电压，最大 15V
b） Segment 最大电流：100uA
c） 常见最大反向电流：15mA
d） 256 级对比亮度电流控制
4. 嵌入式 128 * 64 位 SRAM显示缓存
5. 引脚选择 MCU接口 （显示屏后面有引脚选择，通过焊接不同的电阻来选择不同的接口）
a） 8 位 6800/8000 串口
b） 3/4 线 SPI 接口
c） I2C接口
6. 水平和垂直两个方向的屏幕保存连续滚动功能。
7. RAM 写同步信号
8. 可编程的帧率和多重比率
9. 行重映射和列冲映射
10. 片上晶振
11. 两种封装 COG和 COF
12. 工作温度范围广：‐40℃ to 85℃
结构方框图
时序与引脚介绍
4线 SPI 时序
4线串行接口包括串行时钟：SCLK，串行数据：SDIN，D / C＃，CS＃。在4线SPI模式下，D0充当SCLK，D1充当SDIN。对于未使用的数据引脚，D2应该保持开路。从D3到D7的引脚，E和R / W＃（WR＃）＃可以连接到外部接地。
Note
（1）
H stands for HIGH in signal
（2）
L stands for LOW in signal
（3）
↑ stands for rising edge of signal
在SCLK的每个上升沿，SDIN都按照D7，D6，。。。 D0的顺序移入8位移位寄存器。 D / C＃每八个时钟采样一次，并将移位寄存器中的数据字节写入图形显示数据RAM（GDDRAM）或命令寄存器在同一时钟中。
在串行模式下，仅允许写操作。
图8-5：4线串行接口模式下的写入过程
命令解码器（D/C#引脚）
该模块确定输入数据是解释为数据还是命令。 数据基于解释在D / C＃引脚的输入上。
如果 D/C#引脚是高，D［7:0］就被解读为写到图像显示数据 RAM（GDDRAM）中的显示数据。
如果是低，D［7:0］的输入就被解读为一个命令。然后数据输入就会被解码并写到相关的命令寄存器中。
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（RES# ）
当 RES# 输入为 LOW 时，芯片初始化为下面的状态：
1. 显示关
2. 128 * 64 显示模式
3. 正常的 segment 和显示数据列地址和行地址映射（SEG0 映射到 address 00h，COM0 映射到 address 00h）
4. 在串口中清除移位寄存器数据
5. 显示开始行设置为显示 RAM 地址 0
6. 列地址计数设为 0
7. 正常扫描 COM 输出方向
8. 对比度控制寄存器设为 7Fh
9. 正常显示模式（等同于 A4h 命令）
显存
SSD1309 的显存总共为 128*64bit 大小，
图形显示数据 RAM（GDDRAM） GDDRAM 是一个为映射静态 RAM 保存位模式来显示。该 RAM 的大小为128 * 64 bit，RAM分为 8 页，从 PAFE0 到 PAGE7，用于单色 128 * 64 点阵显示，如下图所示
常用命令表
省略。。。
设置内存地址模式（20h）
SSD1306 中有三种不同的内存地址模式：页地址模式，水平地址模式，垂直地址模式。这个命令将内存地址模式设置成这三种中的一种。
页地址模式（A［1:0］ =10xb）
在页地址模式下，在显示 RAM 读写之后，列地址指针自动加一。如果列地址指针达到了列的结束地址，列地址指针重置为列开始地址并且也地址指针不会改变。用户需要设置新的页和列地址来访问下一页 RAM 内从。页地址模式下 PAGE和列地址指针的移动模式参考下图
在正常显示数据 RAM 读或写和页地址模式， 要求使用下面的步骤来定义开始 RAM 访问的位置：
1. 通过命令 B0h 到 B7h 来设置目标显示位置的页开始地址
2. 通过 00h~0Fh 来设置低开始列地址的指针
3. 通过命令 10h~1Fh 来设置高开始列地址
水平寻址模式（A［1:0］= 00b）
在水平寻址模式下，当显示 RAM 被读写之后，列地址指针自动加一。如果列地址指针达到列的结束地址，列地址指针重置为列的开始地址，并且页地址指针自动加 1。水平寻址模式下页和列地址的移动顺序如下图所示。当列地址和页地址都达到了结束地址，指针重设为列地址和页地址的开始地址。
垂直寻址模式（A［1:0］=01b）
在垂直寻址模式下，当显示 RAM 被读写之后，页地址指针自动加一。如果页地址达到了页的结束地址，页地址自动重置为页的开始地址，列地址自动加一。页地址和列地址的移动顺序如下图所示。当列地址和页地址都达到结束地址后，指针自动重置为开始地址。
在正常显示 RAM 读或写，水平/垂直寻址模式下，要求用下面的步骤来定义 RAM 访问指针位置：
1. 用 21h 命令设置目标显示位置的列的开始和结束地址；
2. 用命令 22h设置目标显示位置的页的开始和结束地址
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Note
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