SiC和GaN具有的优势主要有下面4个：
首先，宽禁带半导体具有卓越的dV/dt切换性能，这意味着开关损耗非常小。这使得高开关频率(SiC为50 kHz至500 kHz，GaN为1 MHz以上)成为可能，结果有助于减小磁体体积，同时提升功率密度。
二是，电感值、尺寸和重量能减少70%以上，同时还能减少电容数量，使最终转换器的尺寸和重量仅相当于传统转换器的五分之一。
三是无源元件和机械部件(包括散热器)的用量可节省约40%，增值部分则体现在控制电子IC上。
四是宽禁带半导体对高结温具有超高的耐受性，这种耐受性有助于提升功率密度，减少散热问题。
SiC和GaN具有的优势主要有下面4个：
首先，宽禁带半导体具有卓越的dV/dt切换性能，这意味着开关损耗非常小。这使得高开关频率(SiC为50 kHz至500 kHz，GaN为1 MHz以上)成为可能，结果有助于减小磁体体积，同时提升功率密度。
二是，电感值、尺寸和重量能减少70%以上，同时还能减少电容数量，使最终转换器的尺寸和重量仅相当于传统转换器的五分之一。
三是无源元件和机械部件(包括散热器)的用量可节省约40%，增值部分则体现在控制电子IC上。
四是宽禁带半导体对高结温具有超高的耐受性，这种耐受性有助于提升功率密度，减少散热问题。
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