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众所周知，当前电子技术的发展方向是：应用技术高频化、硬件结构模块化、半导体器件智能化、控制技术数字化、产品性能绿色化（对电网无污染）。而ASEMI快恢复模块MUR20060CT正是硬件结构模块化的产物，所以MUR20060CT符合未来的发展方向。
MUR20060CT参数描述
型号：MUR20060CT
封装：MUR-2
特性：快恢复模块
电性参数：200A600V
芯片材质：GPP硅芯片
正向电流(Io)：200A
芯片个数：2
正向电压(VF)：1.3V
浪涌电流Ifsm：800A
漏电流(Ir)：1mA
恢复时间Trr：110ns
工作温度：-40~+175℃
引线数量：2
上世纪80年代初，绝缘栅双极晶体管（IBGT）、功率MOS场效应晶体管和集成门极换流晶闸管（IGCT）研制成功，并迅速发展和商业化。这不仅为电力电子变流器向高频化的发展提供了坚实的器件基础，同时还提供高频用电设备（20KHZ以上）和固态高频设备的发展，实现高效、省电、节能、省材，为小型化、轻量化和智能化提供了重要的技术基础。与此同时，IGBT、功率MOSFET、IGCT等开关器件配套的，不可缺少的快恢复模块MUR20060CT器件也得到了快速发展。
因为随着器件开关频率的提高，如果高频变频器件的续流、吸收、钳位、隔离、输入整流和输出整流的开关器件没有快恢复模块MUR20060CT，那么IGBT、功率MOSFET和IGCT等高频开关器件就不能发挥应有的功能和独特的效果。这是由于MUR20060CT的关断特性参数（反向恢复时间trr、反向恢复电荷Qrr和反向峰值电流IRM）的作用导致的。与MUR20060CT配合合适的参数作为续流二极管和高频开关器件，可以最大限度地减少高频逆变威廉希尔官方网站
中开关器件换流引起的过电压尖峰、高频干扰电压和EMI干扰。还可降低功耗，充分利用开关器件的功能。
