1：Flash简介
FLASH存储器是闪速存储器，它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言，Flash Memory属于EEPROM（电擦除可编程只读存储器）类型。它既有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写， 功耗很小。
2：嵌入式Flash特性
对于 STM32F40x 和 STM32F41x，容量高达 1 MB；对于 STM32F42x 和 STM32F43x，容量高达 2 MB
128 位宽数据读取
字节、半字、字和双字数据写入
扇区擦除与全部擦除
低功耗模式
STM32F40x和STM32F41x Flash 模块构成
可以看到
主存储器
该部分用来存放代码和数据常数（如const类型的数据）。分为12个扇区，前4个扇区为16KB大小，然后扇区4是64KB大小，扇区5~11是128K大小，从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X0800 0000，B0、B1都接GND的时候，就是从0X0800 0000开始运行代码
2.系统存储器
这个主要用来存放STM32F4的bootloader代码，此代码是出厂的时候就固化在STM32F4里面了，专门来给主存储器下载代码的。当B0接3.3V，B1接GND的时候，从该存储器启动（即进入串口下载模式）。
3.OTP区域
即一次性可编程区域，共528字节，被分成两个部分，前面512字节（32字节为1块，分成16块），可以用来存储一些用户数据（一次性的，写完一次，永远不可以擦除！！），后面16字节，用于锁定对应块。
4.选项字节
用于配置读保护、BOR级别、软件/硬件看门狗以及器件处于待机或停止模式下的复位。
3：Flash 闪存的读取
STM23F4的FLASH读取是很简单的。例如，我们要从地址addr，读取一个字（字节为8位，半字为16位，字为32位），可以通过如下的语句读取：
data=*（vu32*）addr;
将addr强制转换为vu32指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了addr地址的值。类似的，将上面的vu32改为vu16，即可读取指定地址的一个半字。
在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。
STM32F4的闪存编程由6个32位寄存器控制，他们分别是
FLASH访问控制寄存器（FLASH_ACR）
FLASH秘钥寄存器（FLASH_KEYR）
FLASH选项秘钥寄存器（FLASH_OPTKEYR）
FLASH状态寄存器（FLASH_SR）
FLASH控制寄存器（FLASH_CR）
FLASH选项控制寄存器（FLASH_OPTCR）
其中秘钥寄存器中有两个键值KEY1=0X45670123 KEY2=0XCDEF89AB
STM32F4 Flash标准编程的步骤如下
检查FLASH_SR中的BSY位，确保当前未执行任何FLASH操作。
将FLASH_CR寄存器中的PG位置1，激活FLASH编程。
针对所需存储器地址（主存储器块或OTP区域内）执行数据写入操作：
—并行位数为x8时按字节写入（PSIZE=00）
—并行位数为x16时按半字写入（PSIZE=01）
—并行位数为x32时按字写入（PSIZE=02）
—并行位数为x64时按双字写入（PSIZE=03）
等待BSY位清零，完成一次编程。
按以上四步操作，就可以完成一次FLASH编程。不过有几点要注意：1，编程前，要确保要写入地址的FLASH已经擦除。2，要先解锁（否则不能操作FLASH_CR）。3，编程操作对OPT区域也有效，方法一模一样。
4：闪存擦除
FLASH编程的时候，要先判断所写地址是否被擦除了，STM32F4的闪存擦除分为两种
扇区擦除
整片擦除
扇区擦除步骤
检查FLASH_CR的LOCK是否解锁，如果没有则先解锁
检查FLASH_SR寄存器中的BSY 位，确保当前未执行任何FLASH操作
在FLASH_CR寄存器中，将SER位置1，并从主存储块的12个扇区中选择要擦除的扇区 （SNB）
将FLASH_CR寄存器中的STRT位置1，触发擦除操作 等待BSY位清零
整片擦除步骤
检查 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位，以确认当前未执行任何 Flash 操作
将 FLASH_CR 寄存器中的 MER 位置 1（STM32F405xx/07xx 和 STM32F415xx/17xx 器件）
将 FLASH_CR 寄存器中的 MER 和 MER1 位置 1（STM32F42xxx 和 STM32F43xxx 器件）
将 FLASH_CR 寄存器中的 STRT 位置 1
等待 BSY 位清零
5：代码实现
讲几个重要的函数
CR控制寄存器位8、9置0
根据VCC来操作CR寄存器的位8、9
CR寄存器位3~7置0
操作CR寄存器位3~6来选择要擦除的扇区，并置位1，激活扇区擦除
操作CR寄存器的位16来触发擦除操作
等待操作并查询SR寄存器，查询操作的状态
操作完成后，清除掉一些相应位
写入函数FLASH_ProgramWord
CR控制寄存器位8、9置0
操作CR寄存器位8、9，来确定编程并行位数
操作CR寄存器的位0，来激活编程
把写入的数据放进扇区地址中
等待操作并查询SR寄存器，查询操作的状态
操作完成后，清除掉CR寄存器位0
至于读函数STMFLASH_ReadWord，那就很简单了。
1：Flash简介
FLASH存储器是闪速存储器，它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言，Flash Memory属于EEPROM（电擦除可编程只读存储器）类型。它既有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写， 功耗很小。
2：嵌入式Flash特性
对于 STM32F40x 和 STM32F41x，容量高达 1 MB；对于 STM32F42x 和 STM32F43x，容量高达 2 MB
128 位宽数据读取
字节、半字、字和双字数据写入
扇区擦除与全部擦除
低功耗模式
STM32F40x和STM32F41x Flash 模块构成
可以看到
主存储器
该部分用来存放代码和数据常数（如const类型的数据）。分为12个扇区，前4个扇区为16KB大小，然后扇区4是64KB大小，扇区5~11是128K大小，从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X0800 0000，B0、B1都接GND的时候，就是从0X0800 0000开始运行代码
2.系统存储器
这个主要用来存放STM32F4的bootloader代码，此代码是出厂的时候就固化在STM32F4里面了，专门来给主存储器下载代码的。当B0接3.3V，B1接GND的时候，从该存储器启动（即进入串口下载模式）。
3.OTP区域
即一次性可编程区域，共528字节，被分成两个部分，前面512字节（32字节为1块，分成16块），可以用来存储一些用户数据（一次性的，写完一次，永远不可以擦除！！），后面16字节，用于锁定对应块。
4.选项字节
用于配置读保护、BOR级别、软件/硬件看门狗以及器件处于待机或停止模式下的复位。
3：Flash 闪存的读取
STM23F4的FLASH读取是很简单的。例如，我们要从地址addr，读取一个字（字节为8位，半字为16位，字为32位），可以通过如下的语句读取：
data=*（vu32*）addr;
将addr强制转换为vu32指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了addr地址的值。类似的，将上面的vu32改为vu16，即可读取指定地址的一个半字。
在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。
STM32F4的闪存编程由6个32位寄存器控制，他们分别是
FLASH访问控制寄存器（FLASH_ACR）
FLASH秘钥寄存器（FLASH_KEYR）
FLASH选项秘钥寄存器（FLASH_OPTKEYR）
FLASH状态寄存器（FLASH_SR）
FLASH控制寄存器（FLASH_CR）
FLASH选项控制寄存器（FLASH_OPTCR）
其中秘钥寄存器中有两个键值KEY1=0X45670123 KEY2=0XCDEF89AB
STM32F4 Flash标准编程的步骤如下
检查FLASH_SR中的BSY位，确保当前未执行任何FLASH操作。
将FLASH_CR寄存器中的PG位置1，激活FLASH编程。
针对所需存储器地址（主存储器块或OTP区域内）执行数据写入操作：
—并行位数为x8时按字节写入（PSIZE=00）
—并行位数为x16时按半字写入（PSIZE=01）
—并行位数为x32时按字写入（PSIZE=02）
—并行位数为x64时按双字写入（PSIZE=03）
等待BSY位清零，完成一次编程。
按以上四步操作，就可以完成一次FLASH编程。不过有几点要注意：1，编程前，要确保要写入地址的FLASH已经擦除。2，要先解锁（否则不能操作FLASH_CR）。3，编程操作对OPT区域也有效，方法一模一样。
4：闪存擦除
FLASH编程的时候，要先判断所写地址是否被擦除了，STM32F4的闪存擦除分为两种
扇区擦除
整片擦除
扇区擦除步骤
检查FLASH_CR的LOCK是否解锁，如果没有则先解锁
检查FLASH_SR寄存器中的BSY 位，确保当前未执行任何FLASH操作
在FLASH_CR寄存器中，将SER位置1，并从主存储块的12个扇区中选择要擦除的扇区 （SNB）
将FLASH_CR寄存器中的STRT位置1，触发擦除操作 等待BSY位清零
整片擦除步骤
检查 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位，以确认当前未执行任何 Flash 操作
将 FLASH_CR 寄存器中的 MER 位置 1（STM32F405xx/07xx 和 STM32F415xx/17xx 器件）
将 FLASH_CR 寄存器中的 MER 和 MER1 位置 1（STM32F42xxx 和 STM32F43xxx 器件）
将 FLASH_CR 寄存器中的 STRT 位置 1
等待 BSY 位清零
5：代码实现
讲几个重要的函数
CR控制寄存器位8、9置0
根据VCC来操作CR寄存器的位8、9
CR寄存器位3~7置0
操作CR寄存器位3~6来选择要擦除的扇区，并置位1，激活扇区擦除
操作CR寄存器的位16来触发擦除操作
等待操作并查询SR寄存器，查询操作的状态
操作完成后，清除掉一些相应位
写入函数FLASH_ProgramWord
CR控制寄存器位8、9置0
操作CR寄存器位8、9，来确定编程并行位数
操作CR寄存器的位0，来激活编程
把写入的数据放进扇区地址中
等待操作并查询SR寄存器，查询操作的状态
操作完成后，清除掉CR寄存器位0
至于读函数STMFLASH_ReadWord，那就很简单了。
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