基础简介
不同芯片内部的flah大小不同，stm32f407内部flah是1M（1024K）大小，其结构划分如图所示：
STM32F4 的闪存模块由：主存储器、系统存储器、 OPT 区域和选项字节等 4 部分组成
主存储器：该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据），分为 12 个大小不同的扇区，主存储器的起始地址是 0X08000000。
系统存储器：这个区主要用来存放 STM32F4 的 bootloader 代码，此代码是出厂的时候就固化在芯片内部了，比例用串口下载程序时的bootload（ISP下载）。
OTP 区域：即一次性可编程区域，一次性的，写完一次，永远不能擦除。
选项字节：用于配置读保护、 BOR 级别、软件/硬件看门狗以及器件处于待机或停止模式
下的复位，相当于一些寄存器位。
在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正
确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。所以在写的时候有必要写FLASH_DataCacheCmd（DISABLE）;来禁止数据缓存，写完后再打开。
flash擦除后每个地址块的数据是0xff，擦除就是将地址内的数据转变为0xff，写入数据就是将有关位置0；
地址、内存相关基础讲解
计算机中最小的信息单位是bit，也就是一个二进制位，8个bit组成一个Byte，也就是1个字节；我们常说的flash空间，多少多少K，指的是多少多少K byte
1个存储单元存放1个字节，以stm32为例是32位单片机，它每个存储单元对应一个32位（bit）地址，即一个32位地址指向1个字节！
*（u16*）0x0800 0000、*（u32*）0x0800 0000，蓝色是以0x0800 0000为首地址取一个16bit的数据（0x0800 0000和0x0800 0001一起组成16位），紫色是以0x0800 0000首地址取一个32bit的数据（0x0800 0000、0x0800 0001、0x0800 0002和0x0800 0003一起组成32位）。
flash操作是以字节为最小单位进行操作。
配置操作
读数据
STM23F4 的 FLASH 读取是很简单的。例如，我们要从地址 addr，读取一个字（字节为 8位， 半字为 16 位，字为 32 位），可以通过如下的语句读取：
data=*（vu32*）addr; //addr为内存地址值
将 addr 强制转换为 vu32 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址的值。
类似的，将上面的 vu32 改为 vu16，即可读取指定地址的一个半字。
擦除和编程
擦除要先解锁，要写 0X45670123 到 FLASH_KEYR，写 0XCDEF89AB 到 FLASH_KEYR来解锁。
STM32F4 闪存的编程位数可以通过 FLASH_CR 的 PSIZE 字段配置， PSIZE 的设置必须和
电源电压匹配
在正点原子教程里面有句话：“由于我们开发板用的电压是 3.3V，所以 PSIZE 必须设置为10，即 32 位并行位数。擦除或者编程，都必须以 32 位为基础进行”。但是在野火的教程里写的是：“在内部 FLASH 进行擦除及写入操作时，电源电压会影响数据的最大操作位数，我们接的是3.3V电压，所以最大可以配置为X32，当然也可以配置为X16、X8”，这里建议还是以正点原子的为准。
擦除编写步骤：
解锁：void FLASH_Unlock（void）；
关闭数据缓存：FLASH_DataCacheCmd（ENABLE）;
擦除扇区/块：
FLASH_Status FLASH_EraseSector（uint32_t FLASH_Sector， uint8_t VoltageRange）; //擦除指定扇区，VoltageRange是擦除的位数，与电压有关。
FLASH_Status FLASH_EraseAllSectors（uint8_t VoltageRange）;//擦除所有扇区
FLASH_StatusFLASH_EraseAllBank1Sectors（uint8_t VoltageRange）;//擦除bank1
4.在指定地址写数据
FLASH_Status FLASH_ProgramDoubleWord（uint32_t Address， uint64_t Data）; //指定地址写入双字64bit
FLASH_Status FLASH_ProgramWord（uint32_t Address， uint32_t Data）; //指定地址写入字32bit
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord（uint32_t Address， uint16_t Data）; //指定地址写入半字16bit
FLASH_Status FLASH_ProgramByte（uint32_t Address， uint8_t Data）; //指定地址写入字节8bit
5.打开数据缓存：FLASH_DataCacheCmd（ENABLE）;
6.上锁： FLASH_Lock（）; //上锁
注意事项
写入地址必须是用户代码区以外的地址。不能覆盖用户代码，否则程序会出错。
写入地址必须是 4 的倍数。因为数据是以32bit写入的，占用4个地址位，所以是4的倍数。
设置 FLASH 保存地址必须为偶数。
基础简介
不同芯片内部的flah大小不同，stm32f407内部flah是1M（1024K）大小，其结构划分如图所示：
STM32F4 的闪存模块由：主存储器、系统存储器、 OPT 区域和选项字节等 4 部分组成
主存储器：该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据），分为 12 个大小不同的扇区，主存储器的起始地址是 0X08000000。
系统存储器：这个区主要用来存放 STM32F4 的 bootloader 代码，此代码是出厂的时候就固化在芯片内部了，比例用串口下载程序时的bootload（ISP下载）。
OTP 区域：即一次性可编程区域，一次性的，写完一次，永远不能擦除。
选项字节：用于配置读保护、 BOR 级别、软件/硬件看门狗以及器件处于待机或停止模式
下的复位，相当于一些寄存器位。
在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正
确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。所以在写的时候有必要写FLASH_DataCacheCmd（DISABLE）;来禁止数据缓存，写完后再打开。
flash擦除后每个地址块的数据是0xff，擦除就是将地址内的数据转变为0xff，写入数据就是将有关位置0；
地址、内存相关基础讲解
计算机中最小的信息单位是bit，也就是一个二进制位，8个bit组成一个Byte，也就是1个字节；我们常说的flash空间，多少多少K，指的是多少多少K byte
1个存储单元存放1个字节，以stm32为例是32位单片机，它每个存储单元对应一个32位（bit）地址，即一个32位地址指向1个字节！
*（u16*）0x0800 0000、*（u32*）0x0800 0000，蓝色是以0x0800 0000为首地址取一个16bit的数据（0x0800 0000和0x0800 0001一起组成16位），紫色是以0x0800 0000首地址取一个32bit的数据（0x0800 0000、0x0800 0001、0x0800 0002和0x0800 0003一起组成32位）。
flash操作是以字节为最小单位进行操作。
配置操作
读数据
STM23F4 的 FLASH 读取是很简单的。例如，我们要从地址 addr，读取一个字（字节为 8位， 半字为 16 位，字为 32 位），可以通过如下的语句读取：
data=*（vu32*）addr; //addr为内存地址值
将 addr 强制转换为 vu32 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址的值。
类似的，将上面的 vu32 改为 vu16，即可读取指定地址的一个半字。
擦除和编程
擦除要先解锁，要写 0X45670123 到 FLASH_KEYR，写 0XCDEF89AB 到 FLASH_KEYR来解锁。
STM32F4 闪存的编程位数可以通过 FLASH_CR 的 PSIZE 字段配置， PSIZE 的设置必须和
电源电压匹配
在正点原子教程里面有句话：“由于我们开发板用的电压是 3.3V，所以 PSIZE 必须设置为10，即 32 位并行位数。擦除或者编程，都必须以 32 位为基础进行”。但是在野火的教程里写的是：“在内部 FLASH 进行擦除及写入操作时，电源电压会影响数据的最大操作位数，我们接的是3.3V电压，所以最大可以配置为X32，当然也可以配置为X16、X8”，这里建议还是以正点原子的为准。
擦除编写步骤：
解锁：void FLASH_Unlock（void）；
关闭数据缓存：FLASH_DataCacheCmd（ENABLE）;
擦除扇区/块：
FLASH_Status FLASH_EraseSector（uint32_t FLASH_Sector， uint8_t VoltageRange）; //擦除指定扇区，VoltageRange是擦除的位数，与电压有关。
FLASH_Status FLASH_EraseAllSectors（uint8_t VoltageRange）;//擦除所有扇区
FLASH_StatusFLASH_EraseAllBank1Sectors（uint8_t VoltageRange）;//擦除bank1
4.在指定地址写数据
FLASH_Status FLASH_ProgramDoubleWord（uint32_t Address， uint64_t Data）; //指定地址写入双字64bit
FLASH_Status FLASH_ProgramWord（uint32_t Address， uint32_t Data）; //指定地址写入字32bit
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord（uint32_t Address， uint16_t Data）; //指定地址写入半字16bit
FLASH_Status FLASH_ProgramByte（uint32_t Address， uint8_t Data）; //指定地址写入字节8bit
5.打开数据缓存：FLASH_DataCacheCmd（ENABLE）;
6.上锁： FLASH_Lock（）; //上锁
注意事项
写入地址必须是用户代码区以外的地址。不能覆盖用户代码，否则程序会出错。
写入地址必须是 4 的倍数。因为数据是以32bit写入的，占用4个地址位，所以是4的倍数。
设置 FLASH 保存地址必须为偶数。
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