一、STM32低功耗模式
①运行模式，特点是不省电（while(1)）
②睡眠模式，特点是内核休眠（关闭内核时钟）
③停止模式，特点是内核外设休眠
④待机模式，特点是停止供电。
1、STM32睡眠模式详解
进入方式：**内核寄存器SLEEPDEEP = 0，调用WFI或WFE进入睡眠模式。
SLEEPONEXIT = 0 立即睡眠，SLEEPONEXIT = 1，退出睡眠。
唤醒方式：_WFI任意中断唤醒。_WFE任意事件唤醒。
睡眠：关闭内核时钟、不关闭外设、唤醒后会保持睡眠前的内核寄存器以及内存数据。
唤醒延迟：无延迟。
唤醒后执行：唤醒后执行中断函数，完成后继续睡眠。
2、STM32停止模式
进入方式：内核寄存器SLEEPDEEP = 1PWR_CR寄存器PDDS=0,调用WFI或WFE进入停止模式。
PWR_CR寄存器LPDS=0,调压器正常。
PWR_CR寄存器LPDS=1,低功耗模式
PWR_CR寄存器FPDS=0,Flash正常。
PWR_CR寄存器LPDS=1.Flash掉电。
唤醒方式：_WFI外部中断唤醒。_WFE外部事件唤醒。
睡眠：关闭内核时钟，关闭外设时钟，不关闭电源保留寄存器数据。
唤醒延迟：HSI(HSE)启动时间+低功耗恢复时间+flash恢复时间
**唤醒后执行：**唤醒后执行中断函数，完成后继续睡眠。
3、STM32待机模式
进入方式：内核寄存器SLEEPDEEP=1，PWR_CR寄存器PDDS=1,PWR_CR寄存器WUF=0.调用WFI或WFE进入待机模式。
唤醒模式：WKUP上升沿，RTC闹钟事件、NRST、看门狗复位
**睡眠：**内核关闭、外设关闭、内存数据丢失、引脚高阻
唤醒延迟：复位芯片时间
唤醒后执行：唤醒后执行代码继续待机。
一、STM32低功耗模式
①运行模式，特点是不省电（while(1)）
②睡眠模式，特点是内核休眠（关闭内核时钟）
③停止模式，特点是内核外设休眠
④待机模式，特点是停止供电。
1、STM32睡眠模式详解
进入方式：**内核寄存器SLEEPDEEP = 0，调用WFI或WFE进入睡眠模式。
SLEEPONEXIT = 0 立即睡眠，SLEEPONEXIT = 1，退出睡眠。
唤醒方式：_WFI任意中断唤醒。_WFE任意事件唤醒。
睡眠：关闭内核时钟、不关闭外设、唤醒后会保持睡眠前的内核寄存器以及内存数据。
唤醒延迟：无延迟。
唤醒后执行：唤醒后执行中断函数，完成后继续睡眠。
2、STM32停止模式
进入方式：内核寄存器SLEEPDEEP = 1PWR_CR寄存器PDDS=0,调用WFI或WFE进入停止模式。
PWR_CR寄存器LPDS=0,调压器正常。
PWR_CR寄存器LPDS=1,低功耗模式
PWR_CR寄存器FPDS=0,Flash正常。
PWR_CR寄存器LPDS=1.Flash掉电。
唤醒方式：_WFI外部中断唤醒。_WFE外部事件唤醒。
睡眠：关闭内核时钟，关闭外设时钟，不关闭电源保留寄存器数据。
唤醒延迟：HSI(HSE)启动时间+低功耗恢复时间+flash恢复时间
**唤醒后执行：**唤醒后执行中断函数，完成后继续睡眠。
3、STM32待机模式
进入方式：内核寄存器SLEEPDEEP=1，PWR_CR寄存器PDDS=1,PWR_CR寄存器WUF=0.调用WFI或WFE进入待机模式。
唤醒模式：WKUP上升沿，RTC闹钟事件、NRST、看门狗复位
**睡眠：**内核关闭、外设关闭、内存数据丢失、引脚高阻
唤醒延迟：复位芯片时间
唤醒后执行：唤醒后执行代码继续待机。
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