MOS 管作高速电子开关用,高侧MOS 管Q1,Q3,Q5漏极接高压,源极接负载,为确保高侧MOS管饱和导通,栅极驱动电压必须浮置在源极电压之上。这时需要在外部增加一个自举威廉希尔官方网站
,给IR2136 的VB和VS两端供电,驱动功率管栅极导通。一般MOS管的栅源导通电压为10~15 V,这里选择15 V 供电电源。低侧MOS管因源极接地,驱动方法比较简单,可由驱动芯片15 V电源直接驱动栅极。
自举电容的选型
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