怎样使用STM32CubeMx生成FMC的初始化代码呢

　　使用ST的HAL库进行开发，SDRAM使用的是W9825G6KH-6。
　　W9825G6KH-6共有4个Bank，13位行地址，9位列地址，位宽是16位，
　　所以芯片的容量是：4x8192x512x16=256Mbits=32MBytes。
　　W9825G6KH-6的原理图如下：
　　
　　FMC_D0~15：16位数据线；
　　FMC_A0~12：13位地址线，行地址与列地址是公用的，作为行地址时使用了0~12位，作为列地址时使用了0~8位；
　　FMC_SDNWE：低电平时写，高电平时读；
　　FMC_SDNCAS：列地址选通信号，低电平有效；
　　FMC_SDNRAS：行地址选通信号，低电平有效；
　　FMC_SDNE0：片选信号，低电平有效；
　　FMC_BA0~1：Bank选择信号；
　　FMC_SDCKE0：时钟使能信号；
　　FMC_SDCLK：时钟信号；
　　FMC_NBL0~1：写访问的输出字节屏蔽。
　　STM32F429自带FMC外设，可以对多种外部存储器进行控制，存储区域对应如下：
　　
　　我们使用的是Bank5，也就是SDRAM Bank1。
　　我们要做的就是对SDRAM进行初始化配置，初始化成功后即可对指定的内存进行访问，单片机和外部SDRAM之间的读写时序
　　是由外设自动产生的，不需要程序进行控制，非常方便。
　　STM32F4xx参考手册中对SDRAM的初始化过程如下：
　　
　　使用STM32CubeMx生成FMC的初始化代码，如下：
　　void MX_FMC_Init（void）
　　{
　　FMC_SDRAM_TimingTypeDef SdramTiming;
　　/** Perform the SDRAM1 memory initialization sequence
　　*/
　　hsdram1.Instance = FMC_SDRAM_DEVICE;
　　/* hsdram1.Init */
　　hsdram1.Init.SDBank = FMC_SDRAM_BANK1; //使用SDRAM Bank1
　　hsdram1.Init.ColumnBitsNumber = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_9; //列宽度9位
　　hsdram1.Init.RowBitsNumber = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_13; //行宽度13位
　　hsdram1.Init.MemoryDataWidth = FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_16; //数据总线为16位
　　hsdram1.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4; //SDRAM内部Bank数为4个
　　hsdram1.Init.CASLatency = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3; //CAS为3，表示发送完读时序后延迟3个时钟周期返回数据
　　hsdram1.Init.WriteProtection = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE; //忽略写保护
　　hsdram1.Init.SDClockPeriod = FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_2; //SDRAM时钟SDCLK = HCLK/2 = 180MHz / 2 = 90MHz
　　hsdram1.Init.ReadBurst = FMC_SDRAM_RBURST_ENABLE; //失能突然读模式
　　hsdram1.Init.ReadPipeDelay = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_1; //读通道延时1个时钟周期，在CAS延时后延时读取数据的时钟个数
　　/* SdramTiming */
　　SdramTiming.LoadToActiveDelay = 2; //TMRD/TRSC，2个时钟周期
　　SdramTiming.ExitSelfRefreshDelay = 8; //TXSR，8个时钟周期
　　SdramTiming.SelfRefreshTime = 6; //TRAS，6个时钟周期
　　SdramTiming.RowCycleDelay = 6; //TRC，6个时钟周期
　　SdramTiming.WriteRecoveryTime = 4; //TWR，4个时钟周期
　　SdramTiming.RPDelay = 2; //TRP，2个时钟周期
　　SdramTiming.RCDDelay = 2; //TRCD，2个时钟周期
　　if （HAL_SDRAM_Init（&hsdram1， &SdramTiming） ！= HAL_OK）
　　{
　　_Error_Handler（__FILE__， __LINE__）;
　　}
　　}
　　上述FMC的初始化代码完成了SDRAM初始化中的1、2两个步骤；
　　接下来添加SDRAM初始化中的步骤3~8：
　　uint8_t SDRAM_SendCommand（uint32_t CommandMode， uint32_t Bank， uint32_t RefreshNum， uint32_t RegVal）
　　{
　　uint32_t CommandTarget;
　　FMC_SDRAM_CommandTypeDef Command;
　　if（Bank == 1）
　　CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
　　else if（Bank == 2）
　　CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2;
　　Command.CommandMode = CommandMode;
　　Command.CommandTarget = CommandTarget;
　　Command.AutoRefreshNumber = RefreshNum;
　　Command.ModeRegisterDefinition = RegVal;
　　if（HAL_SDRAM_SendCommand（&hsdram1， &Command， 0x1000） == HAL_OK）
　　return 1;
　　else
　　return 0;
　　}
　　void SDRAM_Init（void）
　　{
　　uint32_t temp;
　　SDRAM_SendCommand（FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE， 1， 1， 0）; //步骤3：使能时钟信号，SDCKE0 = 1
　　Delay_us（500）; //步骤4：至少延时200us
　　SDRAM_SendCommand（FMC_SDRAM_CMD_PALL， 1， 1， 0）; //步骤5：发送全部预充电命令
　　SDRAM_SendCommand（FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE， 1， 8， 0）; //步骤6：设置自动刷新次数
　　temp = SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1 | //设置突发长度：1
　　SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL | //设置突发类型：连续
　　SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3 | //设置CAS值：3
　　SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD | //设置操作模式：标准
　　SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE; //设置突发写模式：单点访问
　　SDRAM_SendCommand（FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE， 1， 1， temp）; //步骤7：装载模式寄存器的值
　　//SDRAM刷新周期是64ms，行数是8192行，时钟频率是180MHz/2=90MHz
　　//所有COUNT = （64ms/8192）/（1/90us）-20 = 64000*90/8192-20 = 683
　　HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate（&hsdram1， 683）; //步骤8：设置刷新速率
　　}
　　函数SDRAM_SendCommand（）用来发送命令，内部调用了HAL的库函数HAL_SDRAM_SendCommand（）发送配置命令；
　　函数SDRAM_Init（）完成了SDRAM初始化中的步骤3~8。
　　至此，我们就完成了对SDRAM的初始化操作，此时外部SDRAM已经被映射到了相应的内存地址；需要注意的是，
　　SDRAM Bank1的地址是从0xC0000000~0xCFFFFFFF，SDRAM Bank2的地址是从0xD0000000~0xDFFFFFFF，
　　我们使用的是SDRAM Bank1，并且外部SDRAM的大小是32M字节，所以对应的内存地址范围是0xC0000000~0xC1FFFFFF。
　　接下来就测试一下SDRAM的读写：
　　#define SDRAM_BANK1_BASE_ADDRESS 0xC0000000 //SDRAM Bank1起始地址
　　#define SDRAM_HALF_WORD_SIZE 0x1000000 //定义16M个的16bits数据，共32M字节
　　__no_init uint16_t uhSdramArray［SDRAM_HALF_WORD_SIZE］ @SDRAM_BANK1_BASE_ADDRESS; //强制定义数组在SDRAM的内存中
　　void SDRAM_Test（void）
　　{
　　uint32_t i;
　　for（i = 0; i 《 SDRAM_HALF_WORD_SIZE; i++）
　　{
　　uhSdramArray［i］ = i; //对整个数组进行赋值
　　}
　　for（i = 0; i 《 SDRAM_HALF_WORD_SIZE; i += 4096）
　　{
　　printf（“uhSdramArray［%d］ = %drn”， i， uhSdramArray［i］）; //对数组中的数据间隔4096个进行串口打印
　　}
　　}
　　串口打印结果如下，数据太多，没有全部显示，
　　
　　SDRAM测试结束。