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模块电源中常用的MOSFET驱动威廉希尔官方网站 有哪些？

MOS管具有哪些特性？
模块电源中常用的MOSFET驱动威廉希尔官方网站 有哪些？

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李云生

2021-11-1 14:22:16
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动威廉希尔官方网站 的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的威廉希尔官方网站 也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。
  下面是我对MOSFET及MOSFET驱动威廉希尔官方网站 基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用威廉希尔官方网站 。
  1、MOS管种类和结构
  MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
  至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
  对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。
  MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动威廉希尔官方网站 的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。
  在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成威廉希尔官方网站 芯片内部通常是没有的。
  2、MOS管导通特性
  导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
  NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
  PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
  3、MOS开关管损失
  不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
  MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。
  导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
  4、MOS管驱动
  跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
  在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
  第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压威廉希尔官方网站 了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
  上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。
  MOS管的驱动威廉希尔官方网站 及其损失，可以参考Microchip公司的AN799MatchingMOSFETDriverstoMOSFETs。讲述得很详细，所以不打算多写了。
  5、MOS管应用威廉希尔官方网站
  MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的威廉希尔官方网站 中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。
  5种常用开关电源MOSFET驱动威廉希尔官方网站 解析
  在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的威廉希尔官方网站 也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动威廉希尔官方网站 ，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。
  当电源IC与MOS管选定之后， 选择合适的驱动威廉希尔官方网站 来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。
  一个好的MOSFET驱动威廉希尔官方网站 有以下几点要求：
  (1)开关管开通瞬时，驱动威廉希尔官方网站 应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
  (2)开关导通期间驱动威廉希尔官方网站 能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。
  (3)关断瞬间驱动威廉希尔官方网站 能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。
  (4)驱动威廉希尔官方网站 结构简单可靠、损耗小。
  (5)根据情况施加隔离。
  下面介绍几个模块电源中常用的MOSFET驱动威廉希尔官方网站 。
  1、电源IC直接驱动MOSFET
  
  

  

  电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式，同时也是最简单的驱动方式，使用这种驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。第一，查看一下电源IC手册，其最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。第二，了解一下MOSFET的寄生电容，如图 1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢。如果驱动能力不足，上升沿可能出现高频振荡，即使把图 1中Rg减小，也不能解决问题! IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择，所以Rg并不能无限减小。
  2、电源IC驱动能力不足时
  如果选择MOS管寄生电容比较大，电源IC内部的驱动能力又不足时，需要在驱动威廉希尔官方网站 上增强驱动能力，常使用图腾柱威廉希尔官方网站 增加电源IC驱动能力，其威廉希尔官方网站 图 2虚线框所示。
  
  

  

  这种驱动威廉希尔官方网站 作用在于，提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。
  3、驱动威廉希尔官方网站 加速MOS管关断时间
  
  

  

  关断瞬间驱动威廉希尔官方网站 能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如图 3所示，其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小，同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。
  
  

  

  在第二点介绍的图腾柱威廉希尔官方网站 也有加快关断作用。当电源IC的驱动能力足够时，对图 2中威廉希尔官方网站 改进可以加速MOS管关断时间，得到如图 4所示威廉希尔官方网站 。用三极管来泄放栅源极间电容电压是比较常见的。如果Q1的发射极没有电阻，当PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，达到最短时间内把电荷放完，最大限度减小关断时的交叉损耗。与图 3拓扑相比较，还有一个好处，就是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC，提高了可靠性。
  4、驱动威廉希尔官方网站 加速MOS管关断时间
  
  

  

  为了满足如图 5所示高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动，有时为了满足安全隔离也使用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是隔开直流，通过交流，同时也能防止磁芯饱和。
  5、当源极输出为高电压时的驱动
  当源极输出为高电压的情况时，我们需要采用偏置威廉希尔官方网站 达到威廉希尔官方网站 工作的目的，既我们以源极为参考点，搭建偏置威廉希尔官方网站 ，驱动电压在两个电压之间波动，驱动电压偏差由低电压提供，如下图6所示。
  
  

  

  除了以上驱动威廉希尔官方网站 之外，还有很多其它形式的驱动威廉希尔官方网站 。对于各种各样的驱动威廉希尔官方网站 并没有一种驱动威廉希尔官方网站 是最好的，只有结合具体应用，选择最合适的驱动。
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