SDB—
IGBT特点为高速，低饱和压降，低拖尾电流，正温度系数易于并联，在600V和1200V电压范围性能优良，分为UF、RUF两大系统，三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接键合)技术，在IC生产线上制作第四代高速IGBT及模块系列产品。小编总结了一下三星IGBT技术发展。 三星集团成立于1938年，旗下子公司包含：三星
电子、三星SDI、三星SDS、三星电机、三星康宁、三星网络、三星火灾、三星证券、三星物产、三星重工、三星工程、三星航空和三星生命等。 三星电子(Samsung Electronics) 2012年第2季将推出电力芯片产品，这是自1999年三星将电力
半导体厂抛售给快捷半导体(Fairchild Semiconductor) 13年后，三星首度推出的电力芯片产品。据南韩电子新闻报导，三星2011年5月与三星综合技术院组成电力芯片共同研究开发
小组，才经过3个月时间，已完成制程技术研发，正以飞快的速度推动商业化。 三星相关人员指出，三星已开发出电力芯片中需求骤增的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的生产制程技术，该制程安定化、磊晶成长、封装等技术研发则仍在进行当中，预计2011年内可完成产品开发。三星计划2012年第2季投入IGBT量产，并正式展开电力芯片事业。 三星将研究范围扩大至氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等新原料。推估电力芯片事业将会成为非内存事业的一大轴心。IGBT为控制10A以上大电流的芯片原料，可应用在电动车、汽车、电梯等用电量较大的产品上，可控制流通或阻断电流。2011年市场规模达9亿美元。 超快速IGBT的发展突出公司重点推荐国际整流器IR。公司研制的超快速IGBT可最大限度地减少拖尾效应，关断时间不超过2000ns，采用特殊高能照射分层技术，关断时间可在100ns以下，拖尾更短，重点产品有6种型号。 国际整流器公司 (简称IR) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成
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器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能运算设备及降低电机的能耗 (电机乃全球最大之耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统及宇航系统的
电源管理基准。 IR提供一个广泛的IGBT组合红外从300伏特到1200伏特基于各种技术来达到最高表现为特定的应用需求。此外红外有一个广泛的IGBT可关断设计用于高功率模块中优化布局、综合鲁柏和大型门垫。 文章来源：中国电力电子产业网
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