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AO3400-ASEMI高效mos管AO3400

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AO3400SOT-23封装里引出3个引脚,是一款高效mosAO3400的脉冲漏极电流(IDM)30A,零栅极电压漏极电流(IDSS)1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3400的栅源电压(VGS)为±12VAO3400的电性参数是:持续漏极电流(ID)5.8A,漏源电压(VDS)30V,栅极阈值电压(VGS)1.4V

AO3400参数描述
型号:AO3400
封装:SOT-23
特性:高效mos
电性参数:5.8A 30V
持续漏极电流(ID)5.8A
脉冲漏极电流(IDM)30A
漏源电压(VDS)30V
栅源电压(VGS):±12V
栅极阈值电压(VGS)1.4V
零栅极电压漏极电流(IDSS)1uA
工作温度:-55~+150
引线数量:3

AO3400贴片封装系列。它的本体度为1.7mm加引脚长度为2.95mm,宽度为3.1mm,高度为1.3mm脚间距为1.9mmAO3400采用先进的沟槽工艺技术,用于超低导通电阻的高密度电池设计。

以上就是关于AO3400-ASEMI高效mosAO3400的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。

ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成威廉希尔官方网站 、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

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