STT-MRAM的相关资料下载

2021-12-10 07:06:51 1197 物联网嵌入式单片机

0 MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息存在的问题。STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ（磁性隧道结），由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成，它是通过自旋电流实现信息写入的。目前，STT-MRAM已经从几家代工厂（GlobalFoundries、英特尔、三星、台积电和联电）中脱颖而出，成为一种非常有吸引力的IP选择。S 0 嵌入式存储的下一步：STT-MRAM.pdf 332.85 KB , 下载次数: 18
举报淘帖0 只看该作者最近下载过的用户(4) 相关推荐 • 萌新求助，求一个基于嵌入式STT-MRAM的架构方案 650 • STT-MRAM存储技术，你想知道的都在这 2066 • Eversipn STT-MRAM的MJT细胞介绍 1014 • 如何才能让嵌入式 STT MRAM磁隧道结阵列的加工成为可能？ 1545 • Xilinx FPGA控制器Everspin STT-DDR4的设计指南 1169 • STT-MRAM万能存储器芯片解析 1709 • 具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的产品化和优异的性能 1688 • STT-MRAM技术的优点有哪些？ 2054 • Everspin MRAM内存技术如何工作 1134 • 嵌入式STT MRAM磁隧道结阵列的进展 1741