掉电存储是单片机系统中非常常用的一项功能。非易失性存储器也有很多选择，比如EEPROM、FRAM、单片机内部Flash、SPI flash、eMMC、SD卡、NAND flash等等。
工程师需要根据项目的实际需求来选择存储器。一般需要考虑以下几个方面：
1、容量大小
容量是存储器选择时首先要考虑的东西。一般来说，EEPROM和FRAM容量相对较小，都在几KB；其次是单片机内部Flash，根据不同型号的单片机，可以分配不同大小的容量，也在KB级别，通常这种小容量的存储器只适合存储一些系统参数；然后是SPI Flash，比如W25Q128等，一般容量在几MB到几十MB，可以用于存储参数和少量数据；最后就是SD卡、eMMC、NAND Flash等大容量的存储器了，一般都在GB级别，可以存储大量的数据。
2、读写速度
首先说说eMMC、SD卡、NAND flash等大容量存储器。这类存储器通常都会配合文件系统来使用，他们的读写速度取决于接口类型（SPI、SDIO等）、一次性写入数据大小、存储器本身速度级别限制等。通常情况下平均速度会在几百KB~几MB/秒。
其次是单片机内部Flash和SPI Flash。Flash的特点是需要整个页（扇区或块）擦除才能写入，扇区擦除的时间一般在几十ms，因此，Flash的写入速度也会受限。但读取数据时没有此限制。
再说EEPROM，最常用的AT24CXX系列，IIC接口，接口速度可以达到400K甚至1M。速度貌似还可以，但是要注意的是，跨页写需要有大约5ms的等待。所以一旦写入数据需要跨页，整体速度就会大受影响。
如果需要更快的写入速度，那只能选择FRAM，铁电存储器，比如FM24CLXX系列，接口与AT24CXX兼容。铁电存储器没有页的概念，因此没有等待时间，相比EEPROM，写入速度可以大大提高。
3、擦写寿命
一般情况下，flash存储器的擦写次数在1~10万次左右，单片机内部的flash擦写次数相对较少，像STM32可以达到1万次，有些单片机的flash擦写次数只有1000次，使用时一定要注意。eeprom可以达到100万次左右，而FRAM没有擦写次数的限制。
如果需要频繁的写入，考虑使用寿命，可能需要配合磨损均衡算法来实现。SD卡是自带磨损均衡的，而其他flash或者eeprom就需要自己来实现磨损均衡算法，或使用带磨损均衡算法的文件系统。
掉电存储是单片机系统中非常常用的一项功能。非易失性存储器也有很多选择，比如EEPROM、FRAM、单片机内部Flash、SPI flash、eMMC、SD卡、NAND flash等等。
工程师需要根据项目的实际需求来选择存储器。一般需要考虑以下几个方面：
1、容量大小
容量是存储器选择时首先要考虑的东西。一般来说，EEPROM和FRAM容量相对较小，都在几KB；其次是单片机内部Flash，根据不同型号的单片机，可以分配不同大小的容量，也在KB级别，通常这种小容量的存储器只适合存储一些系统参数；然后是SPI Flash，比如W25Q128等，一般容量在几MB到几十MB，可以用于存储参数和少量数据；最后就是SD卡、eMMC、NAND Flash等大容量的存储器了，一般都在GB级别，可以存储大量的数据。
2、读写速度
首先说说eMMC、SD卡、NAND flash等大容量存储器。这类存储器通常都会配合文件系统来使用，他们的读写速度取决于接口类型（SPI、SDIO等）、一次性写入数据大小、存储器本身速度级别限制等。通常情况下平均速度会在几百KB~几MB/秒。
其次是单片机内部Flash和SPI Flash。Flash的特点是需要整个页（扇区或块）擦除才能写入，扇区擦除的时间一般在几十ms，因此，Flash的写入速度也会受限。但读取数据时没有此限制。
再说EEPROM，最常用的AT24CXX系列，IIC接口，接口速度可以达到400K甚至1M。速度貌似还可以，但是要注意的是，跨页写需要有大约5ms的等待。所以一旦写入数据需要跨页，整体速度就会大受影响。
如果需要更快的写入速度，那只能选择FRAM，铁电存储器，比如FM24CLXX系列，接口与AT24CXX兼容。铁电存储器没有页的概念，因此没有等待时间，相比EEPROM，写入速度可以大大提高。
3、擦写寿命
一般情况下，flash存储器的擦写次数在1~10万次左右，单片机内部的flash擦写次数相对较少，像STM32可以达到1万次，有些单片机的flash擦写次数只有1000次，使用时一定要注意。eeprom可以达到100万次左右，而FRAM没有擦写次数的限制。
如果需要频繁的写入，考虑使用寿命，可能需要配合磨损均衡算法来实现。SD卡是自带磨损均衡的，而其他flash或者eeprom就需要自己来实现磨损均衡算法，或使用带磨损均衡算法的文件系统。
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