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CH32V307零等待区和非零等待区的区别是什么?
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在参考v307的datasheet时,发现了一个问题,v307的ram和rom可以配置四种模式组合,看codeflash最大有480k(
Includes 0 wait and non-0
wai
ti
ng areas
),分为了零等待区和非零等待区,那么请问:
1、这个非零等待区的地址是从哪里开始算的?
2、非零等待区的flash擦写有哪些需要注意的?
3、非零等待区的读写速度如何,打算用这一部分存储参数信息。
回帖
(1)
王桂珍
2022-5-13 14:33:05
看文档的意思实际上就是通过使用相同容量的SRAM作为ROM的映射的方式来提高读取速度,实现零等待。
从哪里开始算就看配置,0x0800000+ROM容量,非零擦写跟前面一样。192K足够的话,就直接拿不可能做ROM的后192K来做存储就是。
擦写没啥注意的,实际都是一样的flash,感觉内部逻辑比前面的零等待更简单。
个人没测试过,写速度应该跟前面的ROM部分没啥区别,读会慢很多吧。
看文档的意思实际上就是通过使用相同容量的SRAM作为ROM的映射的方式来提高读取速度,实现零等待。
从哪里开始算就看配置,0x0800000+ROM容量,非零擦写跟前面一样。192K足够的话,就直接拿不可能做ROM的后192K来做存储就是。
擦写没啥注意的,实际都是一样的flash,感觉内部逻辑比前面的零等待更简单。
个人没测试过,写速度应该跟前面的ROM部分没啥区别,读会慢很多吧。
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