击穿分为两种情况,一种是过压击穿,一种是过流击穿,首先你需要确认是过压导致的击穿还是过流导致的击穿,确定方法如下:
1.使用示波器测量Q2 D引脚在上电瞬间的电压是否超过其耐压100V
2.如果超过了100V耐压,则RDC参数或者布局不合理,没有很好的实现电压钳位,需要调整RDC参数
3.如果没有超过100V耐压,则使用示波器测量Q2 流经DS的电流,看上电瞬间是否过流,如果过流,大概率是MOS开通过慢,需调整MOS开关速度
击穿分为两种情况,一种是过压击穿,一种是过流击穿,首先你需要确认是过压导致的击穿还是过流导致的击穿,确定方法如下:
1.使用示波器测量Q2 D引脚在上电瞬间的电压是否超过其耐压100V
2.如果超过了100V耐压,则RDC参数或者布局不合理,没有很好的实现电压钳位,需要调整RDC参数
3.如果没有超过100V耐压,则使用示波器测量Q2 流经DS的电流,看上电瞬间是否过流,如果过流,大概率是MOS开通过慢,需调整MOS开关速度
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