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无源晶体的负载电容是晶体的一项重要参数, 当加在该晶体两个脚的等效电容 与该晶体的负载电容一致时候, 该晶体才能处于最佳的工作状态:如频率才会最准.
既然是晶体两个脚上的等效电容, 那就存在不同的形式: 1,直接引脚上加额外的电容 2,pin脚,PCB 走线上的分布电容 3,芯片内部的 额外设计的可调电容(wch ble soc 皆存在) 正是由于芯片内部存在专用的可调电容, 所以晶体外部的电容通常不用额外设计. 当然,内部可调电容 也是有一定范围的. 官方开发板的设计, 对应的高频晶体的负载电容是12pF, 在CH577/578/579上对应芯片内部的高频晶体可调电容RB_XT32M_C_LOAD的默认值, 在CH573/571上,需要将高频晶体电容电容的RB_XT32M_C_LOAD值调整到4. 上述是大多情况下的一般设计, 对于要求相对较高的场景,建议实际测试后去做调整. |
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CH579M+RT-Thread,RTC从Sleep模式唤醒失败是什么原因?
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riscv-none-embed-objcopy: \'PWM_Output.elf\': No such file这个咋解决,
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请教一下,Mounriver 编译不成功:找不到库文件,怎么整
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