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STM32L021DX, STM32L021FX,STM32L021GX, STM32L021KX】本文档是关于基于ARM® Cortex®-M0+ 内核进阶型的超低功耗
单片机STM32L021D4,STM32L021F4,STM32L021G4,STM32L021K4的 数据手册。
特征：
超低功率平台
1.65V至3.6V
电源
-40至125℃温度范围
0.23μA待机模式(2个唤醒引脚)
0.29μA停止模式(16条唤醒线)
0.54μA停止模式+rtc+2KB内存固位
运行模式下降至76μA/MHz
5μ的唤醒时间(从Flash内存)
41μA 12位模数转换器10 kSPS
核心：ARM 832位Cortex-MO+
-从32千赫至最大32兆赫。
-0.95 DMIPS/MHz
重置和供应管理
-超安全，低功耗BOR(断电复位)
有5个可选择的阈值
-超低功率POR/PDR
可编程电压检测器(PVD)
时钟源
-0至32 MHz外部时钟
32 kHz定标RTC振荡器
-高速内部16兆赫工厂-修整R
(+/-1%)
国际低功耗37千赫rc
内部多速低功耗65 khz到
4.2 MHz RC
-用于CPU时钟的PLL
预编程引导加载器
SPI支持
发展支助
支持串行线调试
最多28个快速I/O(23/OS5V)
