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有谁能告诉我STM32MP153F完成擦除事件经过的时间是多少?
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MPU
STM32
SRAM芯片
我正在使用 MPU 参考。
STM32
MP153F,你能告诉我从检测到篡改到备份电阻完成擦除之间经过的时间是多少?
还有备份 SRAM?
回帖
(1)
方娟
2022-12-9 10:30:50
擦除事件的生成具有以下延迟:
当 TAMPFLT 不同于 0x0 时的 3 个 ck_apre 周期(带过滤的电平检测)
3 个 ck_apre 周期,当 TAMPTS = 1(篡改事件的时间戳)
当 TAMPFLT = 0x0(边沿检测)和 TAMPTS = 0 时无延迟
请注意,作为时钟转换,主动篡改显然具有额外的延迟。
备份寄存器在擦除事件中立即被擦除(比方说几十个 ns)。
备份 RAM 不会被篡改事件大量擦除,而是受到读保护以防止机密数据被访问。
要在发生篡改事件后重新获得对备份 RAM 的访问权限,需要先将其擦除。(例如,SW 必须在整个内存中写入零)。
内存。
擦除事件的生成具有以下延迟:
当 TAMPFLT 不同于 0x0 时的 3 个 ck_apre 周期(带过滤的电平检测)
3 个 ck_apre 周期,当 TAMPTS = 1(篡改事件的时间戳)
当 TAMPFLT = 0x0(边沿检测)和 TAMPTS = 0 时无延迟
请注意,作为时钟转换,主动篡改显然具有额外的延迟。
备份寄存器在擦除事件中立即被擦除(比方说几十个 ns)。
备份 RAM 不会被篡改事件大量擦除,而是受到读保护以防止机密数据被访问。
要在发生篡改事件后重新获得对备份 RAM 的访问权限,需要先将其擦除。(例如,SW 必须在整个内存中写入零)。
内存。
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