ST意法半导体
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李泽坚

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[问答]

在FTM缓冲区后的ST25DV上为什么不能写入EEPROM呢

app_twi_perform() 返回 0x03 == NRF_ERROR_INTERNAL。
用按钮重置板没有帮助。
Power Cycle后可以成功更新EEPROM。
使用专有智能手机应用程序访问 FTM 缓冲区。




回帖(1)

高志新

2022-12-20 10:06:17
我认为您的问题可能是您尝试在激活 FTM 的情况下写入 EEPROM。
正如 ST25DV 数据表第 25 页“警告”段落中的“5.1.2 快速传输模式使用”一章中所述,它不是如果激活 FTM,则可以写入 EEPROM(MB_CTRL_Dyn 寄存器值的位 0 的含义为 1)。
“电源开/关周期”重置 MB_CTRL_Dyn 寄存器,从而停用 FTM,这可以解释为什么可以在 ON/OFF 周期后写入 EEPROM。不确定“重置板”,因为我不知道你在说什么板。
因此,我的建议是在尝试写入 EEPROM 之前尝试禁用 FTM。
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