大家好,
的
我正在尝试将 ML 模型部署到微控制器,我有两块
STM32L4R9I-Discovery 和 STM32H7B3I-Discovery 板。实验及相关结果如下所示:
我使用 TFLite Micro 和
STM32Cube.AI运行时来分析我的 ML 模型,然后在两个不同的板上编译。提供了这两块板子相关的硬件资源,其中STM32H7B3I更大一些。然而,奇怪的是,我可以在较小的
威廉希尔官方网站
板(STM32L4R9I)上连续获得结果,但在较大的威廉希尔官方网站
板(STM32H7B3I)上构建失败,并出现以下错误:
.../arm-none-eabi/bin/ld.exe:*****.elf 部分“.bss”不适合区域“RAM”
.../arm-none-eabi/bin/ld.exe:区域“RAM”溢出 251112 字节
的
谁能就如何解决这个问题提供一些建议?非常感谢你。