我试图擦除
STM32g474re nucleo 上的一些闪存页面(以及带有 stm32g474veh3 的定制板上)。
闪存页面都在闪存库 2 上,因为我在参考手册中读到闪存库 2 可以在代码从银行 1 运行时写入。
然而,擦除第二个库中的页面(通过将 FLASH_EraseInitTypeDef 的“Banks”设置为 FLASH_BANK_2)没有效果。
(STM32Cube_FW_G4_V1.1.0/Projects/NUCLEO-G474RE/Examples/FLASH/FLASH_EraseProgram),定义了一个名为
uint32_t GetBank(uint32_t地址)
它只返回 FLASH_BANK_1。
这对我来说没有意义,闪存库 2 不是擦除或写入有意义的银行吗?