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ben111

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使用C2000 MCU的双向高密度GaN CCM图腾柱PFC参考设计

此参考设计为3kW 双向交错式连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 功率级,采用 C2000™ 实时控制器和具有集成驱动器和保护功能的 LMG3410R070 氮化镓 (GaN)。此电源拓扑支持双向潮流(PFC 和并网逆变器)且使用 LMG341x GaN 器件,可提高效率并减小电源尺寸。该设计可利用切相和自适应死区时间提高效率,通过输入电容补偿方案提高轻负载下的功率因数,并借助非线性电压环降低 PFC 模式下的瞬态电压尖峰。此参考设计中的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。

TIDM-02008 Bidirectional high density GaN CCM totem pole PFC using C2000™ MCU design image

TIDM-02008 Bidirectional high density GaN CCM totem pole PFC using C2000™ MCU design image

特性
  • PFC 模式:在高压线路上具有 90Vrms 至 230Vrms 交流输入、50Hz 至 60Hz 频率和 3.3kW 额定功率
  • 并网逆变器模式:在高压线路上具有高达 400V 的直流输入和 3.3kW 额定功率
  • 峰值效率为 98.75% 且总谐波失真 (THD) 小于 2%
  • 内置频率响应分析器 (SFRA) 以便验证并设计控制环路
  • 低过零失真
  • GaN 和 C2000 控制器高频率运行可实现高功率密度设计

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

downloadDesign guide — TIDM-02008

ZHCU364E.PDF (7211 K)

参考设计概述和经过验证的性能测试数据

downloadSchematic — TIDM-02008

TIDRTB0.PDF (327 K)

设计布局和元件的详细原理图

downloadBill of materials (BOM) — TIDM-02008

TIDRTB1.PDF (70 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

downloadAssembly drawing — TIDM-02008

TIDRTB2.PDF (337 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

downloadCAD/CAE symbol — TIDM-02008

TIDRTB4.ZIP (2167 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

downloadGerber file — TIDM-02008

TIDCDY6.ZIP (1952 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

downloadPCB layout — TIDM-02008

TIDRTB3.PDF (2410 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

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