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电机控制单电阻采样机制介绍

  前言
  电机控制单电阻采样机制是在一个PWM波形内采集两相电流ADC数据,但某些扇区边界条件下只能获得一路电流ADC数据, 需要对PWM波形进行变形用于构造电流采样区域。
  背景介绍
  根据电机控制拓扑结构,单电阻采样在一个PWM控制周期内可以取得两相电流数据:
2.jpg
2.jpg
  在扇区边沿无法获得两相电流信号。
2.jpg
  波形产生
  ST专利的方法是在波形的中间部分产生变形波形,在变形后的波形上就可以得到两相电流ADC数据;
  当然还有目前比较流行的波形移位方法也可以做到相同效果。波形如下:
2.jpg
  STM32系列单片机timer有足够的功能,可以产生上面两种波形,机制如下:
  PWM波中间变形
2.jpg
  1. 设定CCR4的DMA通道,并且设定此时Timer1的preload为禁止状态;
  TIM_OC1PreloadConfig(TIM1,TIM_OCPreload_Disable);
  2. 在CCR4比较值部分产生DMA事件;
  DMA_InitStructure.DMA_PeripheralBaseAddr= (uint32_t)(&(TIM1-》CCR1));
  DMA_InitStructure.DMA_MemoryBaseAddr= (uint32_t)(uint32_t)(hDmaBuff2);
  DMA_InitStructure.DMA_DIR =DMA_DIR_PeripheralDST;
  DMA_InitStructure.DMA_BufferSize= 2u;
  …。
  TIM_DMACmd(TIM1,TIM_DMA_CC4,ENABLE);
  3. 在1点上将CCR1数据直接修改为周期数据+1;
  4. 在2点上将CCR1数据修改为CCR1’的数据;
  5. 时间计算上按照上面的图示设定,中间凹陷时间为两边补充波形时间之和。
  波形移位变形
2.jpg
  1. 设定Timer1的update事件的DMA通道
  DMA_InitStructure.DMA_PeripheralBaseAddr =(uint32_t)(&(TIM1-》CCR1));
  DMA_InitStructure.DMA_MemoryBaseAddr =(uint32_t)(uint32_t)(hDmaBuff2);
  DMA_InitStructure.DMA_DIR =DMA_DIR_PeripheralDST;
  DMA_InitStructure.DMA_BufferSize = 2u;
  ……
  TIM_DMACmd(TIM1,TIM_DMA_Update,ENABLE);
  2. 在1点上更新CCR1数据为CCR1数据;
  3. 在2点上更新CCR1数据为CCR1’数据;
  4. 保证前后的移位时间相同。


原作者: stmcu STM32单片机

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