MES50HP 开发板简介

MES50HP 开发板集成两颗 4Gbit（512MB）DDR3 芯片,型号为 MT41K256M16。DDR3 的总线宽度共为 32bit。DDR3 SDRAM 的最高数据速率 800Mbps

一、实验要求

生成 DDR3 IP 官方例程，实现 DDR3 的读写控制，了解其工作原理和用户接口。

二、DDR3 控制器简介

GL50H 为用户提供一套完整的 DDR memory 控制器解决方案，配置方式比较灵活，采用软核实现 DDR memory 的控制，有如下特点：

➢支持 DDR3

➢支持 x8、x16 Memory Device

➢最大位宽支持 32 bit

➢支持裁剪的 AXI4 总线协议

➢一个 AXI4 256 bit Host Port

➢支持 Self_refresh，Power down

➢支持 Bypass DDRC

➢支持 DDR3 Write Leveling 和 DQS Gate Training

➢DDR3 最快速率达 800 Mbps

三、实验设计

a. 安装 DDR3 IP 核

PDS 安装后，需手动添加 DDR3 IP，请按以下步骤完成：
（1）DDR3 IP 文件：6_IP_setup_packet\DDR3\ipsxb_hmic_s_v1_4

（2）IP 安装步骤：1_Demo_document\工具使用篇\03_IP 核安装与查看用户指南

b. DDR3 读写 Example 工程

打开 PDS 软件，新建工程 ddr3_test，点开如下图标，打开 IP Compiler；

选择 DDR3 IP，取名，然后点击 Customize；

在 DDR3 设置界面中 Step1 按照如下设置：

Step2 按照如下设置：

Step3 按照如下设置，勾选 Custom Control/Address Group，管脚约束参考原理图：

Step4 为概要，点击 Generate 可生成 DDR3 IP；

关闭本工程，按此路径打开 Example 工程：
2_Demo\08_ddr3_test\ipcore\ddr3_test\pnr

打开顶层文件 free_clk、ref_clk 可使用同一时钟源：

对“Step3 已做管脚约束”外的其他管脚，对照原理图使用 UCE 工具进行修改：

以下管脚可约束在 LED，方便观察实验现象；

可按以下方式查看 IP 核的用户指南，了解 Example 模块组成；

四、实验现象

注：例程位置：2_Demo\07_ddr3_test\ipcore\ddr3_test\pnr

下载程序，可以看到 LED1 常亮，LED2 常灭， LED3 闪烁，LED4 常亮；

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