光敏电阻光电的效应

2013-4-3 14:21:23 3544 光敏电阻

0 光敏传感器的物理基础是光电效应:在不同的情况下的光辐射作用下电子逸出材料的表面会产生光电子发射称为外光电效应、或光电子发射效应、基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。电子并不逸出材料表面的则是内光电效应。光电导效应、光生伏特效应则属于内光电效应。即使半导体材料的有许多电学特性都会受到光的照射而发生变化。光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类：控制的光电传感器的应用，通常光敏电阻，光敏三极管，光电二极管，硅光电池等等。在光电导效应下：若光照射到某个半导体材料上时透过到材料内部光子能量足够大某些电子吸收光子的能量，从而在原来的束缚态变成导电的自由态、这时在外电场的作用下流过半导体的电流会不断的增大，即半导体的电导也会增大，这种现象也叫光电导效应。它是一种内光电效应。光电导效应可分为本征型和杂质型两类。前者是指能量足够大的光子使电子离开价带跃入导带价带中由于电子离开而产生空穴外电场情况作用下电子和空穴参与电导使电导增加。杂质型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的空穴跃迁到导带或价带从而使电导增加。杂质型光电导的长波限比本征型光电导的要长的多。光生伏特效应：在无光照时半导体的PN结内部会产生自建电场。当光照射在PN结及其附近时在能量足够大的光子作用下在结区及其附近就产生少数载流子电子、空穴对。载流子在结区外时靠扩散进入结区在结区中时则因电场E的作用电子漂移到N区空穴漂移到P区。结果使N区带负电荷P区带正电荷产生附加电动势此电动势称为光生电动势此现象称为光生伏特效应。相关参考：www.xindaguang.com 0
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