FOD3120，TLP350，TLP250

2013-7-3 11:43:52 5030 开关电源无刷电机电子设备变频器驱动器

0 ` FOD3120，TLP350，TLP250 这三款是用来进行IGBT栅级驱动和POWER MOSFET栅极驱动的8 PIN DIP封装的光电耦合器，其中FOD3120，TLP350的输出峰值电流IO = ±2.5A (max)，TLP250的输出峰值电流IO =±1.5A (max.)，因此他们非常合适用来驱动1200V/（20-100）A的IGBT，由于IGBT在直流和交流无刷电机驱动器，逆变器，UPS，开关电源，变频器等方面的广泛应用，因此IGBT驱动光耦同样可以应用在这些产品上。由于功率 IGBT 在电力电子设备中多用于高压场合，所以驱动威廉希尔官方网站必须与整个控制威廉希尔官方网站在电位上完全隔离，利用光电耦合器进行隔离，具有体积小、成本低、结构简单、应用方便、输出脉宽不受限制等优点。一些基本参数输入电流 IF=5mA 电源电压VCC=15 to 30V 电源电流ICC=2mA （TLP250 ICC=11mA）延迟时间tpLH/tpHL= 500 ns (max) 动作过程当IF输入 H 时，Tr1导通，Tr2截止，因此 VO=Vcc – Vtr1=H 此时Io的电流向外，基于此点，故可以接一个栅极电阻后直接驱动IGBT，无需外接威廉希尔官方网站当IF输入 L 时，Tr1截止，Tr2导通，此时 VO=Vgnd+Vtr2=L 此时如果IGBT栅极上有残存的电荷，可通过Tr2到GND进行放电，关闭IGBT 逻辑关系如下注意事项 1. 为了保证电压的稳定，防止电压突变损坏IGBT，需要在8脚与5脚间需要接一个0.1uF的电容。 2. IGBT大多是工作于感性负载状态，当其处于关断状态，反并二极管正在反向恢复过程时，就会有很大的dv/dt加于CE两端，由于米勒电容的存在，I=Cdu/dt，将会产生瞬间电流流向驱动威廉希尔官方网站，与栅极电阻作用，将产生电压，此电压若超过IGBT栅极开启电压，则会造成IGBT误触发导通，因此提供负偏压-Vge能有效防止误触发，建议VE接负压。 3. 通常情况下，如果VGE过高，一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，容易损坏IGBT，因此综上所述，实际工作时，建议VCC=+15V，VEE= -15V 使用实例在整流威廉希尔官方网站中的应用潮光光耦网微信公众平台微信号:PC817C* 及时获取潮光光耦网每日新到光耦信息 ` 2
2013-7-3 11:43:52　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 光电耦合器 FOD3120, HCPL-3120/A3120, TLP350, TLP250,TLP352介绍应用： 3590 • 光耦TLP250,TLP350,TLP290,PS2801-4 9303 • TLP250 pdf,TLP250 datasheet (A 64 • 光耦FOD3120-TLP250-TLP350的参数比较 5999 • 光耦FOD3120-TLP250-TLP350的参数比较 13859 • IGBT驱动光耦推荐专场（TLP350,TLP250,PC929,PC923) 11524 • TLP350光耦资料 317 • TLP352 原装东芝2.5A IGBT栅极驱动光耦低成本代替TLP350 TLP250 4446 • 潮光光耦网7月12日限时特价光耦（TLP250,TLP350,TLP290,PS2801-4） 1805 • 关于tlp250控制MOS管的问题 6932