ESD设计与综合

随着半导体工艺尺寸从微米量级向纳米量级缩小，静电放电（ESD）对于半导体器件与系统的影响仍在持续。

本书从全芯片ESD设计综合的角度，对EOS、ESD以及Latchup进行了探讨。针对ESD保护网络集成的方方面面提供了非常清晰的阐述，并列举了一些关于特定技术、威廉希尔官方网站以及芯片中应用的举例。本书的独特之处在于，无论是半导体芯片集成问题还是ESD网络平面布局都是按照了“自顶向下”的设计方式来讲述。

本书涵盖：

在DRAM、SRAM、CMOS图像处理芯片、微处理器、模拟产品、射频模块中如何集成核心威廉希尔官方网站、电源总线以及信号引脚，以及这些整合将如何影响ESD的设计与集成。

混合电压、混合信号的架构设计，以便于RF设计中的ESD分析。

外围和核心威廉希尔官方网站的I/O布局及其在ESD和Latchup下的应用。

在“自底向上”和“自顶向下”两种方法下进行保护环整合，将涵盖I/O保护环、ESD保护环、I/O至I/O之间和I/O至核心威廉希尔官方网站间等情况。

对ESD电源钳位单元和ESD信号引脚威廉希尔官方网站进行分类，并介绍对给定的芯片如何选择正确的方案。

给出各种先进工艺下的ESD设计实例，包括CMOS、BiCMOS、SOI、双极工艺、高压CMOS（HVCMOS）、射频CMOS和智能功率芯片。

给出一些实用的方法，以帮助理解ESD威廉希尔官方网站电源布局、基本规则建立、内部总线布局、电流路径分析和质量指标等概念。

简介：

作者: （美）Steven H.Voldman

出版社: 机械工业出版社

译者: 刘志伟