我想用ATmega48v做一个低功耗小系统，使用外部陶瓷晶振455khz，但是只要我一改熔丝位就会出现熔丝位锁死问题，查表得455k是在0.4-0.9M之间的：
SUT="10" 低频石英/陶瓷振荡器 (0.4-0.9MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL="1010"
又使用的是陶瓷晶振，不对晶振进行8分频，因此熔丝低位设为2A(满幅振荡)或是6A（半幅振荡），高位在不使用BOD的情况下默认为DF,扩展位位FF，但是我还没烧入程序，只是设置完熔丝位，进行熔丝位写入的瞬间，芯片就被锁死了，锁了4片了，求大神指导，到底是为什么呀？
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2015-4-23 14:33:51
围观一下，还没用设定过avr的熔断丝。这东西是不是不可逆的啊！要是有了结果希望给大家讲讲啊！
围观一下，还没用设定过avr的熔断丝。这东西是不是不可逆的啊！要是有了结果希望给大家讲讲啊！
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2015-4-24 10:40:06
我也是新接触的，因为datasheet是纯英文的，所以粗粗浏览了一下就上网找中文资料，结果网上的熔丝位设置对照都是和ATmega48v不匹配的，白锁了那么多块，还一直想不通，现在重新看了一遍datasheet，发现如果用外部陶瓷晶振455k的，在不8分频并开启BOD的情况下应该是E8 DC FF,我现在手边可用的芯片只有两片了，所以用内部1M晶振调试完再试E8 DC FF的外部晶振熔丝位，到时候结果会在这里公布的！欢迎讨论～～～
我也是新接触的，因为datasheet是纯英文的，所以粗粗浏览了一下就上网找中文资料，结果网上的熔丝位设置对照都是和ATmega48v不匹配的，白锁了那么多块，还一直想不通，现在重新看了一遍datasheet，发现如果用外部陶瓷晶振455k的，在不8分频并开启BOD的情况下应该是E8 DC FF,我现在手边可用的芯片只有两片了，所以用内部1M晶振调试完再试E8 DC FF的外部晶振熔丝位，到时候结果会在这里公布的！欢迎讨论～～～
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