芯片测试与失效分析
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nano-fang

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一站式失效分析!

`zhenyan@wintech-nano.com


失效分析半导体器件的涉及使用以下工具和技术(不全面,大家一起来完善): * _! M8 |. X: Z' X6 i9 e5[

1 @! J* X4 G9 K9 l5 g5 s! i9 X* E. w
1.1.1
显微镜, ?3 ^4 u7 Z3 @8 q5 x& S* F9 I5S" N

·        光学显微镜
·          液晶热点探测(Liquid Crystal)
·        扫描声学显微镜(SAM)
·        扫描声学断层扫描( SCAT )
·        原子力显微镜( AFM )
·        体视显微镜 (Stereomicroscope)
·        微光显微镜(PEM/EMMI)
·        X光显微镜
·        红外线显微镜( c: r+ p' v1 H5 y# y* p


1.1.2
样品制备

·        自动开帽机(Jet Etcher)
·        等离子刻蚀(Plasma)
·        背面减薄工具
·          机械式背面减薄
·          激光/化学式背面蚀刻5 C9 X2 c2 M  t! q8 o: r9 o


1.1.3
光谱分析% ?3 C- E% ! f( v

·        传输线路脉冲光谱( TLPS)
·        俄歇电子能谱(Auger)
·        深能级瞬态谱( DLTS)
·        傅立叶转换红外线光谱(FtiR)
·        激光拉曼光谱(RamanSpectroscopy)
·        二次离子质谱仪(SIMS)
·        X射线荧光光谱仪(XRF)
·        X-射线光电子能谱(XPS)
·        X 射线衍射分析仪(XRD)
/ f& O# [7 @2 P3 ~3 ^

1.1.4
改造设备

·        聚焦离子束蚀刻(FIB)
·        时域反射计( TDR )
/ x$ R3 {% [7 ^$ q"{. K/ ?* F. m

8 [" t% B( q8 [! U4 r
1.1.5
表面分析

·        染料渗透探伤(Dye penetration). Z8 ~. A6 _% J, B% u
" z" P& B$l9 Q' @  C
" O- {, o, V" @" v
8 {: H. N; w: z+ x8 V' O# C% 8 j
1.1.6
扫描电子显微镜及附件

·        扫描电子显微镜( SEM )
·        电子束感生电流( EBIC )
·        电荷感应电压改建(C IVA )
·        电压衬度像(Voltage Contrast)
·        电子背散射衍射(EBSD )
·        能量色散X射线能谱( EDS )
·        透射电子显微镜( TEM )& g  C' z, I# q

% U' ]- y5 [: A& L# i9 a! P
1.1.7
激光信号注入显微镜( LSIM 9 e0 Z8 `/ x: ]

·        光激发
·          光学束感生电流( OBIC )
·          光致电压( LIVA)
·        热能激发( TLS)
·          雷射光束诱发阻抗值变化(OBIRCH )
·          热致电压(TIVA)
·          外部感应电压(XIVA )
·          塞贝克效应成像(SEI)
·        激光辅助装置(LADA )$ p: X3 c! Y( h  k
- u- `+ Z; V. {
5 J8 ?9 d" e6 E+ m+ j
1.1.8
半导体试探

·        机械探针站
·        电子束探针
·        激光电压探头
·        时间分辨光子发射探测器(TRPE  )) H) m" ]6 @) e9 G6 @
% d$ e) w& r- p+ g
' N, r- J- E, w* L" [
1.1.9
基于软件故障定位技术

·        计算机辅助设计导航 (CAD navigation)
·        自动测试模式生成( ATPG)+ J* S; P- v5 ~% z* ?" t




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