`
zhenyan@wintech-nano.com
失效分析半导体器件的涉及使用以下工具和技术(不全面,大家一起来完善): * _! M8 |. X: Z' X6 i9 e5[
1 @! J* X4 G9 K9 l5 g5 s! i9 X* E. w
1.1.1显微镜, ?3 ^4 u7 Z3 @8 q5 x& S* F9 I5S" N
· 光学显微镜
· 液晶热点探测(Liquid Crystal)
· 扫描声学显微镜(SAM)
· 扫描声学断层扫描( SCAT )
· 原子力显微镜( AFM )
· 体视显微镜 (Stereomicroscope)
· 微光显微镜(PEM/EMMI)
· X光显微镜
· 红外线显微镜( c: r+ p' v1 H5 y# y* p
1.1.2样品制备
· 自动开帽机(Jet Etcher)
· 等离子刻蚀(Plasma)
· 背面减薄工具
· 机械式背面减薄
· 激光/化学式背面蚀刻5 C9 X2 c2 M t! q8 o: r9 o
1.1.3光谱分析% ?3 C- E% ! f( v
· 传输线路脉冲光谱( TLPS)
· 深能级瞬态谱( DLTS)
· 激光拉曼光谱(RamanSpectroscopy)
· 二次离子质谱仪(SIMS)
· X射线荧光光谱仪(XRF)
· X-射线光电子能谱(XPS)
· X 射线衍射分析仪(XRD)
/ f& O# [7 @2 P3 ~3 ^
1.1.4改造设备
· 聚焦离子束蚀刻(FIB)
· 时域反射计( TDR )
/ x$ R3 {% [7 ^$ q"{. K/ ?* F. m
8 [" t% B( q8 [! U4 r
1.1.5表面分析
· 染料渗透探伤(Dye penetration). Z8 ~. A6 _% J, B% u
" z" P& B$l9 Q' @ C
" O- {, o, V" @" v
8 {: H. N; w: z+ x8 V' O# C% 8 j
1.1.6扫描电子显微镜及附件
· 扫描电子显微镜( SEM )
· 电子束感生电流( EBIC )
· 电荷感应电压改建(C IVA )
· 电压衬度像(Voltage Contrast)
· 电子背散射衍射(EBSD )
· 能量色散X射线能谱( EDS )
· 透射电子显微镜( TEM )& g C' z, I# q
% U' ]- y5 [: A& L# i9 a! P
1.1.7激光信号注入显微镜( LSIM) 9 e0 Z8 `/ x: ]
· 光激发
· 光学束感生电流( OBIC )
· 光致电压( LIVA)
· 热能激发( TLS)
· 雷射光束诱发阻抗值变化(OBIRCH )
· 热致电压(TIVA)
· 外部感应电压(XIVA )
· 塞贝克效应成像(SEI)
· 激光辅助装置(LADA )$ p: X3 c! Y( h k
- u- `+ Z; V. {
5 J8 ?9 d" e6 E+ m+ j
1.1.8半导体试探
· 机械探针站
· 电子束探针
· 激光电压探头
· 时间分辨光子发射探测器(TRPE )) H) m" ]6 @) e9 G6 @
% d$ e) w& r- p+ g
' N, r- J- E, w* L" [
1.1.9基于软件故障定位技术
· 计算机辅助设计导航 (CAD navigation)
· 自动测试模式生成( ATPG)+ J* S; P- v5 ~% z* ?" t
`