我们知道，S5pv210的启动代码是从Nand flash中开始执行的，将Nand flash中的代码拷贝到DDR中，再开始执行C语言。Nand flash的重要性可想而知。
Nand-flash内存是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
编程时，我们同样需要找到Nand flash的厂家手册，其为MT29F8G08ABABA，其中摘录的下图是Nand flash逻辑单元的矩阵组织，表明了nand flash的寻址方式。
OK210的nand flash支持软件模式，
1. 写入命令寄存器
(NFCMMD)指定
NAND闪存命令周期
2. 写入地址寄存器(NFADDR)指定NAND闪存地址周期
3. 写入数据寄存器(NFDATA)指定写入数据的NAND闪存(写周期)
4. 读取数据寄存器(NFDATA)可从NAND闪存读取数据(读周期)
5. 阅读主ECC寄存器(NFMECCD0 / NFMECCD1)和备用ECC寄存器(NFSECCD)指定阅读 NAND闪存的数据
ECC支持6种编程方式，分别是1bit，4bit（编码），4bit（解码），8/12/16bit。
综上，nand flash的裸机程序可包含如下内容：
1、 nandflash 初始化
2、 复位
3、 等待就绪
4、 发片选（取消片选）
5、 发命令
6、 读取nand 状态
7、 发地址
8、 读（写）一个字节的数据
9、 读芯片ID
10、 擦除块
11、 从nand中读数据到sdram
12、 从sdram中写数据到nand
13、 随机读数据 paddr页地址,offset页内偏移地址
14、 随机写数据 paddr页地址,offset页内偏移地址
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