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FD-SOI（全耗尽型绝缘层上硅）

2016-4-15 19:59:26 6635

0 FD-SOI（全耗尽型绝缘层上硅）技术是一种新的工艺技术，有望成为其30纳米以下的技术节点中成本效益最高的制造工艺。如果采用28纳米技术制作一颗晶片，在相同的选件和金属层条件下，FD-SOI需要38个掩模，而某些基板CMOS则需要多达50个掩模。FD-SOI缩减制造工序15%，缩短交货期10%，这两大优点可大幅降低成本。此外，采用FD-SOI工艺制造的芯片在功耗上可以大幅降低，还可以缩小面积节约成本。与FinFET技术相比，FD-SOI的优势更为明显。FD-SOI向后兼容传统的成熟的基板CMOS工艺。因此，工程师开发下一代产品时可沿用现存开发工具和设计方法，而且将现有300mm晶片制造厂改造成FD-SOI晶片生产线十分容易，因为大多数设备可以重新再用。 0
2016-4-15 19:59:26　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 学习FD-SOI和FD-FINFET 1801 • FD-SOI与PD-SOI他们的区别在哪？ 2419 • FD-SOI与深度耗尽沟道DDC MOS器件的详细资料介绍 12 • 关于FD-SOI的性能分析和应用介绍 4199 • 基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技术优势及应用？ 2349 • 导线绝缘层恢复材料和绝缘层恢复方法 8 • 受益于物联网的FD-SOI卷土重来 668 • 导线绝缘层的恢复方法_导线绝缘层恢复注意事项 9169 • 如何恢复导线的绝缘层_导线绝缘层的恢复方法 15551 • 首款基于FD-SOI的FPGA平台已正式面世 737