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电阻应变片的温度特性-实验 图2-1 时两应变片的电阻变化ΔR1 与2 ΔR 符号相同，数量相等，桥路如原来是平衡的，则温度变化 后1 4 2 3 R R = R R ，电桥仍满足平衡条件，无漂移电压输出，由于补偿片所贴位置与工作片成 90°，所以只感受温度变化，而不感受悬臂梁的应变。 [实验单元] 直流稳压源± 4V ， ± 2V 、金属箔电阻应变片、半导体应变片、电桥、差动放大器、电 压表、测微头、加热器、与应变片处于同一感温面的热电偶或P-N 结集成温度传感器等。 [实验内容] 1．金属箔电阻应变片的温度效应。 按图2-2 接线，开启电源，调整悬臂 梁水平位置，调整差动放大器输出为零， 调整系统输出为零。 用相应的温度传感器测得加热前测试 系统感受的温度。（注意保护薄膜内外 的温差有时可达10℃） 开启“加热”电源，观察测试系统输 图2-2 出电压随温度升高而发生的变化。待电压读数基本稳定后记下电压值。 求出温度漂移值ΔV / ΔT 。 2．应变片电桥的温度补偿。 按图2-3 接好线路，图中R′ 和 R′′ 分别为箔式工作片和补偿片。 重复上实验步骤，求出接入补偿 图2-3 片后系统的温度漂移，并与上实验的 结构进行比较。 3．半导体电阻应变片的温度效应。 按图2-4 接线， R′ 是半导体应变片， 另一臂电阻是电桥上固定电阻。开启电 源后预热数分钟至系统基本稳定。 图2-4 按单臂电桥实验步骤调整悬臂梁水平位置，差动放大器输出调零，调系统输出为零。 用温度传感器测得加温前的工作温度T。 打开“加热”开关，观察随温度升高系统输出电压温漂情况。待电压稳定后测得温升， 求出系统的温漂ΔV / ΔT 。 [注意事项] 1．金属箔电阻变桥激励电压± 4V ，半导体电阻应变桥激励电压为± 2V 。 2．仪器中使用的BHF 型金属箔电阻应变片具有防自蠕变性能，因此温度系数还是比较 小的，而半导体片由于温度系数大，所以非常不容易稳定。 3．应正确选择补偿片。应变片从左至右的8 对接线端中分别是：1-上梁半导体应变工作 片，2-下梁半导体应变工作片，3、5-上梁金属箔应变工作片，4、6-下梁金属箔应变工作片， 7、8-上梁金属箔温度补偿片。应变桥路中工作片与补偿片应在同一应变梁上。 [思考题] 在应变悬臂梁上，温度补偿片为何横向粘贴？ 
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