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王栋春

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【转】 比较器的性能指标

滞回电压:比较器两个输入端之间的电压在过零时输出状态将发生改变,由于输入端常常叠加有很小的波动电压,这些波动所产生的差模电压会导致比较器输出发生连续变化,为避免输出振荡,新型比较器通常具有几mV的滞回电压。滞回电压的存在使比较器的切换点变为两个:一个用于检测上升电压,一个用电压门限(VTRIP)之差等于滞回电压(VHYST),滞回比较器的失调电压是TRIP 和VTRIP-的平均值。不带滞回的比较器的输入电压切换点为输入失调电压,而不是理想比较器的零电压。失调电压一般随温度、电源电压的变化而变化。通常用电源抑制比表示电源电压变化对换调电压的影响。
       偏置电流:理想的比较器的输入阻抗为无穷大,因此,理论上对输入信号不产生影响,而实际比较器的输入阻抗不可能做到无穷大,输入端有电流经过信号源内阻并流入比较器内部,从而产生额外的压差。偏置电流(Ibias)定义为两个比较器输入电流的中值,用于衡量输入阻抗的影响。MAX917系列比较器的最大偏置电流仅为2nA。
        超电源摆幅:为进一步优化比较器的工作电压范围,Maxim公司利用NPN管与PNP管相并联的结构作为比较器的输入级,从而使比较器的输入电压得以扩展,这样,其下限可低至最低电平,上限比电源电压还要高出250mV,因而达到超电源摆幅(Beyond-theRail)标准。这种比较器的输入端允许有较大的共模电压。
漏源电压:由于比较器仅有两个不同的输出状态(零电平或电源电压),且具有满电源摆幅特性的比较器的输出级为射极跟随器,这使得其输入和输出信号仅有极小的压差。该压差取决于比较器内部晶体管饱和状态下的发射结电压,对应于MOSFFET的漏源电压。
        输出延迟时间:包括信号通过元器件产生的传输延时和信号的上升时间与下降时间,对于高速比较器,如MAX961,其延迟时间的典型值可对达到4.5ns,上升时间为2.3ns。设计时需注意不同因素对延迟时间的影响,其中包括温度、容性负载、输入过驱动等的影响。

回帖(3)

王洁民

2016-10-20 08:55:46
谢谢楼主的分享。
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王栋春

2016-10-20 19:53:32
引用: npwjm 发表于 2016-10-20 08:55
谢谢楼主的分享。

不客气  我也是不时复习一下原来学过的知识  期待你的分享
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AT91SAM9260

2016-10-26 20:21:19
顶顶顶
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