请参阅数据表中的“表30~41:A/D转换要求”。如果我读对了,数据表上说,如果你有低阻抗电压源(高达50欧姆),通常需要至少750ns的采样时间来充电S/H电容,当信号在全范围改变时,其耐受性优于2LSB。ADC采样/保持前端。在PIC16F1789C UC内,12位BADC并不十分相似。查看16F1789DATAGET,部分“17.4 ADC采集要求”。从这一节你会知道采样时间是如何计算的。不幸的是,从实践的角度来看,这些信息几乎是无用的。没有关于实际PIC18F97 ADC前端结构和S/H路径阻抗的信息。假设750ns的采样时间是典型的,我可以提出包括源阻抗的前端的RC常数大约是83ns。因此,如果S/H电容容量为10pF,则内部路径阻抗约为(83ns/10pf50)=82kOHm。从这些计算中,你可以计算(没有保修)所需的采样时间为你的某些源阻抗。不管怎样,推荐的源阻抗仅高达2.5kOHm。因此,只需增加采样时间到(82KOHM+2.5KOHM)/82KOHM *750NS=980NS最小。为了保证在整个温度范围内正确采样,将此值增加3倍是合理的。结论:取980ns*3+4TAD采样时间,使用不超过2.5kOhm的ADC源阻抗.IMHO。
请参阅数据表中的“表30~41:A/D转换要求”。如果我读对了,数据表上说,如果你有低阻抗电压源(高达50欧姆),通常需要至少750ns的采样时间来充电S/H电容,当信号在全范围改变时,其耐受性优于2LSB。ADC采样/保持前端。在PIC16F1789C UC内,12位BADC并不十分相似。查看16F1789DATAGET,部分“17.4 ADC采集要求”。从这一节你会知道采样时间是如何计算的。不幸的是,从实践的角度来看,这些信息几乎是无用的。没有关于实际PIC18F97 ADC前端结构和S/H路径阻抗的信息。假设750ns的采样时间是典型的,我可以提出包括源阻抗的前端的RC常数大约是83ns。因此,如果S/H电容容量为10pF,则内部路径阻抗约为(83ns/10pf50)=82kOHm。从这些计算中,你可以计算(没有保修)所需的采样时间为你的某些源阻抗。不管怎样,推荐的源阻抗仅高达2.5kOHm。因此,只需增加采样时间到(82KOHM+2.5KOHM)/82KOHM *750NS=980NS最小。为了保证在整个温度范围内正确采样,将此值增加3倍是合理的。结论:取980ns*3+4TAD采样时间,使用不超过2.5kOhm的ADC源阻抗.IMHO。
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