由于MOS管GD间存在一定电容（米勒电容），在死区时间内，下MOS的D极电压见如下两图，这个时候死区结束后，上管MOS导通时，下管D极电压瞬间提高，由于GD间存在电容，会有充电电流流过该电容，该电流会流过驱动电阻，从而使的G极电压抬高而导通（凸起波形影响因素），这个抬高的过程我们芯片能吸收这个电压，但由于驱动有电阻存在，吸收的速度偏慢一点，现处理措施有两种方法，一个是根据不同MOS计算驱动电阻阻值；另一个是在驱动电阻两端并二极管，保证GS电压受二极管钳制。
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