关于LDMOS击穿电场相关问题 resurf

为什么n外延层中掺杂浓度低时漏区先击穿，掺杂浓度较高时却是源区先击穿呢？（N外延区均全耗尽）能详细讲一下这个过程吗，这里不太能理解，谢谢。