适用于30kW充电电源的ACDC解决方案

比较结果：• 由于散热问题，IGBT的开关频率应低于40kHz• 相比于IGBT，SiC MOS 效率0.5% @40KHz• 相比于SJ MOS，SiC MOS 效率+0.1%~0.2%@40kHz• 相比于SJ MOS，SiC MOS效率 +0.2%@80kHzSiC优势• 更高的开关频率→更小的电感和更高的密度• 更高的效率→更好的热性能、更高的密度和成本节约