如何使用MosFET开启特性来抑制浪涌电流？

CAN将软启动方法与软启动硬件一起使用，以降低浪涌电流。

抑制浪涌电流的方法之一是使用MosFET的开启特性。一个常见的方法是使用电流限制器或者电流保护威廉希尔官方网站 来确保电流不会超过MosFET的脉冲额定值。

至于是否有白皮书明确规定如何使用MosFET开启特性来抑制浪涌电流，这取决于具体的MosFET型号和制造商。您可以查阅该型号的手册或者白皮书来了解如何使用MosFET来抑制浪涌电流。

对于设计类似于TLE9853评估板的H-bridge，如果承受的电感浪涌电流超过了MosFET的脉冲额定值，您可以考虑以下几个解决方案：

1. 选择更高功率的MosFET，以确保其可以承受更大的电流。
2. 使用电流限制器或者电流保护威廉希尔官方网站 来监控和限制电流，以避免超过MosFET的额定值。
3. 考虑使用电感电流抑制器或者补偿威廉希尔官方网站 来抑制电感浪涌电流。
4. 对威廉希尔官方网站 进行优化设计，例如调整电感的值或者更换其他元件来降低电感浪涌电流。

总之，在具体的设计中，最好根据您的具体要求和MosFET的规格来选择合适的电流抑制方法。