STM32H750片内flash对同一flash地址做二次修改出错是哪里的问题？

首先，我们需要了解一下STM32H750的内部Flash特性。STM32H750的内部Flash分为多个扇区，每个扇区的大小为128KB。在进行Flash编程时，需要确保操作的地址范围在同一个扇区内。

根据您提供的信息，您尝试在地址0x08001000至0x0800101F（32字节，256位）之间修改数据。这个地址范围位于同一个扇区内，因此理论上应该可以进行修改。

然而，您提到在进行第二次修改时Flash出现了问题。这可能是由以下几个原因导致的：

1. 擦除操作不成功：在进行Flash编程之前，需要确保目标地址已被正确擦除。如果擦除操作失败，可能会导致写入操作出错。请检查您的擦除操作是否正确执行。

2. 写入操作不成功：在进行Flash编程时，需要确保写入操作正确执行。请检查您的写入操作是否正确执行。

3. 中断问题：在进行Flash编程时，如果中断发生，可能会导致写入操作出错。请确保在进行Flash编程期间，关闭所有不必要的中断。

4. 电源问题：Flash编程对电源稳定性要求较高。如果电源不稳定，可能会导致写入操作出错。请确保您的电源供应稳定。

5. 代码问题：请检查您的代码逻辑，确保在进行第二次修改时，地址和数据都正确无误。

为了解决这个问题，您可以尝试以下步骤：

1. 仔细检查您的擦除和写入操作代码，确保它们正确执行。

2. 在进行Flash编程期间，关闭所有不必要的中断。

3. 确保您的电源供应稳定。

4. 检查您的代码逻辑，确保在进行第二次修改时，地址和数据都正确无误。

5. 如果问题仍然存在，您可以尝试使用STM32CubeMX工具生成Flash编程代码，以确保操作的正确性。

希望这些建议能帮助您解决问题。如果您需要进一步的帮助，请提供更多关于您的代码和操作的详细信息。