飞凌嵌入式-硬件分享-常见的几种防反接威廉希尔官方网站

防反接威廉希尔官方网站 在威廉希尔官方网站 设计中还是挺重要的，因为你永远不知道在实际应用中会有用什么样的骚操作，把电源接反导致炸板。
一个好的防反接威廉希尔官方网站 ，以增加了一点点元器件的代价，换来对用户和产品的安全负责。今天和大家分享一下我们经常使用到的几种防反接威廉希尔官方网站 。

二极管防反接威廉希尔官方网站

如图，在电源正/负极的路上，增加二极管（单向导通性），实现防反接。此威廉希尔官方网站 简单，成本最低。缺点是压降大（0.6V 左右）；电流越大，发热越严重；反向电压过大时，会有漏电流，应留足余量。可以选用成本相对高但较低压降的肖特基二极管。

MOSFET 防反接MOSFET 拥有较低的导通电阻（Rds(on)），用作防反接保护威廉希尔官方网站 ，只有很小的功率损耗。因为N-MOS是G极高电平导通，P-MOS是G极低电平导通，所以N-MOS一般用于低端侧防反接，P-MOS则用于高端侧：

正确接入电源时，MOS 管导通，后续威廉希尔官方网站 能正常接受供电；反接时，MOS 管截止，断开以保护后续威廉希尔官方网站 。

MOSFET 防反接的损耗为 Rds(on)∗Iload。挑选 MOSFET 的指标是 Rds(on)尽可能小，UgSth在电源电压以下。相比而已，N-MOS 比 P-MOS 导通电阻小，而且选型更加丰富。

整流桥防反接威廉希尔官方网站

桥式整流威廉希尔官方网站 有两个二极管产生压降，功耗与发热都比较大，如果不是一些特殊场合，一般不推荐使用。

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此威廉希尔官方网站 设计非常巧妙，既可以防反接，又可以防过压。其原理是：

当电源 Vin 接反时，稳压二极管 D1 正向导通，负载的负压为二极管的导通电压 Vf，而 Vf 一般比较低，不会烧坏后级负载威廉希尔官方网站 。同时，电压主要落在 F1 上，因此开始时电流会迅速上升，直至超过 F1 的熔断电流后，保险丝 熔断，电源断开，这样也不会因为电流过大，而烧坏 D1。

当正接但电压过高时（例如大于稳压管的 5.6V），因为稳压管 D1 存在，所以负载端获得电源约为 5.6V。而 F1 上就会有比较大的电压（Vin-5.6V），电流上升直至熔断，保护了后端威廉希尔官方网站 。此为防过压保护。

这个威廉希尔官方网站 要注意的几个点：

1. 保险丝的选型。熔断电流要大于后级负载正常的工作电流（威廉希尔官方网站 正常使用时不能熔断）。
2. 稳压二极管的选型。稳压值要大于正常 Vin 的电源输入（正常电源输入时不能击穿稳压），但是要小于后级能允许的最大输入电压（稳压值不能烧坏后级威廉希尔官方网站 ）。
3. 满足稳压二极管的最大允许电流+上电时负载电流 > 保险丝的击穿电流这个条件。在电源过压输入时、保险丝被击穿之前，稳压管才不会因通过的电流过大而烧坏。
4. 反接威廉希尔官方网站 时产生的负压Vf一般小于1.5V。后端威廉希尔官方网站 应能承受1.5V 的负压，不会被烧坏。
5. 此威廉希尔官方网站 尽量用于功率小于 500mW 的威廉希尔官方网站 中。